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2017-08-31 发布于上海
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si基芯片光互连研究进展 research progress of silicon-based optical interconnects

与纳米器件技术 Nanoelect ronic Device Technology 基芯片光互连研究进展犛犻程勇鹏，陈少武中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京（，）１０００８３　：，摘要综述了近年来基光互连尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互Ｓｉ连的进展。公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成，也提出并开ＬｕｘｔｅｒａＩＢＭ始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案，但基光互连大部分还停留在各构建单元器件Ｓｉ性能提高的阶段例如基发光波导波导耦合器基调制器及光开关基探测器，、、、、ＳｉＳｉＳｉＳｉＳｉ以及用于光波导器件阵列的技术。此外，还对基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光ＷＤＭＳｉ子器件的热稳定性提出了看法。总之，随着各种构建单元器件的综合性能、工艺兼容度、ＣＭＯＳ制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破，光互连最终会成为现实，并引发微电子技术和行业的下一场革命。ＩＣ关键词基光子学芯片光互连基无源有源光子器件光子集成光电子单片集成电路：；；／；；ＳｉＳｉ：；：：（）中图分类号文献标识码文章编号ＴＮ２０５ＴＮ３０４１２Ａ１６７１－４７７６２００９１１－０６４９－０７　　犚犲狊犲犪狉犮犺犘狉狅狉犲狊狊狅犳犛犻犾犻犮狅狀犅犪狊犲犱犗狋犻犮犪犾犐狀狋犲狉犮狅狀狀犲犮狋狊犵狆，ＣｈｅｎＹｏｎｅｎＣｈｅｎＳｈａｏｗｕｇｇｐｇ（，，犛狋犪狋犲犓犲犔犪犫狅狉犪狋狅狉狅狀犐狀狋犲狉犪狋犲犱犗狋狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊犐狀狊狋犻狋狌狋犲狅犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狊