一种二阶曲率补偿cmos带隙基准 cmos bandgap reference with second-order curvature compensation.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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一种二阶曲率补偿cmos带隙基准 cmos bandgap reference with second-order curvature compensation.pdf

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一种二阶曲率补偿cmos带隙基准 cmos bandgap reference with second-order curvature compensation

C字om盖nic信ati。n 砸V01．4205,N20Ⅲ．2 404。，勰雩篙；毙。ig数ital 211111望竺旦 ! 竺竺!竺竺竺竺二—一一============================———；—————————————一—— DOI：10．3969／j．issn．1001—3824．2013．02．010 一种二阶曲率补偿CMOS带隙基准常利平，范国亮，邵丹 l：程。学院．承_|_火400065) (蕾庆邮电大’了：光IU 摘要：设计了一种采用电流求和技术的亚1V二阶曲率补偿CMOS带隙基准：基于CSMC0．5卜m标准CMOS工 V的带隙参考电压； -E对所设计的带隙基准进行了仿真验证：仿真验证结果显示：所设计的带隙基准获得了0．75 V变化时，在一25～125℃温度汜a4-围内，带隙基准参考电压的温度系数仅为2．548×10～；当电源电压在2．6～6．2 kHz处分别获得一118．07dB， Hz，100Hz，lkHz，100 带隙基准的输出电压变化仅0．08mV；带隙基准参考电压在lo 一107 dB．一87．23dB，一47dB的电源抑制。关键词：带隙基准源；二阶曲率；CMOS；温度系数；电源抑制比中国分类号：G642 文献标识码：A 0 引言带隙电压基准电路是模拟电路系统中不可或缺的组成部分，广泛应用于模数、数模转换、动态存储器等集成电路中。带隙电压基准的性能极大影响模拟电路系统的性能特性，因此要求带隙电压基准具 coefficient，TC)、高电源有低温度系数(temperature 抑制比(powersupplyrejectionratio，PSRR)等特性。本文在分析传统带隙基准的基础上，设计了一种亚1V二阶曲率补偿的CMOS带隙基准参考。所图1传统带隙基准电路设计的带隙基准具有简单的电路结构，并获得较好的性能特性。 2亚1V二阶曲率补偿带隙基准的分 1传统带隙基准源析设计传统带隙基准参考电路结构如图1所示，是通 2．1一阶低压带隙基准结构过正偏双极型三极管的基极，发射极电压K。与热电一阶低压带隙基准电路结构如图2所示。与传统的带隙基准不同，图2所示电路采用了正负温度压V，(=kT／q)的加权来获得零温度系数的电压…，其输出带隙基准参考电压k，可表示为系数电流加权获得与温度无关的电流，，与岛，同时 Vref=ⅡlVBE+Ⅱ2VrIn(n)(1) 将电流镜像到坞支路，经电阻R。转换为所要的基式(1)中：o。，Ⅱ：，凡为电路参数。在室温下有aVB。／准电压k，。图2中，电阻R。和R：大小相等，PMOS ayr一一1．5mV／K与0Vr／8丁一+0．087mV／K，因而管M，，％和鸭具有相同的尺寸。 V 如图2所示，运算放大器4强