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双阈值电压与电源门控设计优化流程方案使用双阈值电压门限的设计优化方法与流程可以在高度自动化的情况下达到功率和时序两方面的优异结果这种双方法对极深亚微米芯片非常重要此时降低的不光会改进性能而且还会增加静态泄漏功率事实上泄漏功率会随技术的升级呈指数增长在时达到芯片功耗的泄漏功率的这种惊人增长对大多数设计来说是不可接受的无论它们是否采用电池供电因此大多数设计会借助于设计优化流程因为它可以在性能和泄漏功率之间取得折衷根据不同的设计要求有三种常见的流程可以用于性能与泄漏功率的优化这些流程的目标是尽量减小泄
双阈值电压与电源门控设计优化流程方案
使用双阈值电压门限(VTH)的设计优化方法与流程可以在高度自动化的情况下达到功率和时序两方面的优异结果。这种双 VTH 方法对 VDSM(极深亚微米)芯片非常重要,此时降低的 VTH 不光会改进性能,而且还会增加静态泄漏功率。 事实上,泄漏功率会随技术的升级呈指数增长,在 65 nm 时达到芯片功耗的 50%。泄漏功率的这种惊人增长对大多数设计来说是不可接受的,无论它们是否采用电池供电。因此,大多数设计会借助于设计优化流程,因为它可以在性能和泄漏功率之间取得折衷。 根据不同的设计要求,有三种常见的流程可以用于性能与泄漏功率的优化。这些流程的
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