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LED封装技术比较 本文由dupootech贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 LED 的封装技术比较 1）LED 单芯片封装 LED 在过去的 30 多年里，取得飞速发展。第一批产品出现在 1968 年，工作电流 20mA 的 LED 的光通量只有千分之几流明，相应的发光效率为 0.1 lm/W，而且只有一种光色为 650 nm 的红色光。70 年代初该技术进步很快，发光效率达到 1 lm/W，颜色也扩大到红色、绿色 和黄色。伴随着新材料的发明和光效的提高，单个 LED 光源的功率和光通量也在迅速增加。 原先，一般 LED 的驱动电流仅为 20 mA。到了 20 世纪 90 年代，一种代号为“食人鱼”的 LED 光源的驱动电流增加到 50-70mA，而新型大功率 LED 的驱动电流达到 300—500 mA。特 别是 1998 年白光 LED 的开发成功，使得 LED 应用从单纯的标识显示功能向照明功能迈出了 实质性的一步。图 2-1 到图 2-4 描述了 LED 的发展历程。 图 2-1 普通 LED 主要用于指示灯 图 2-2 高亮度 LED 主要用于照明灯 图 2-3 食人鱼 LED 图 2-4 大功率 LED A 功率型LED封装技术现状 功率型LED分为功率LED和瓦(W)级功率LED两种。功率LED的输入功率小于 1W(几十毫瓦 功率LED除外)；W级功率LED的输入功率等于或大于 1W。 最早有HP公司于 20 世纪 90 年代初推出“食人鱼”封装结构的 LED，并于 1994 年推出 改进型的“Snap LED”，有两种工作电流，分别为 70mA和 150mA，输入功率可达 0.3W。接 着OSRAM公司推出“Power TOP LED”，之后一些公司推出多种功率LED的封装结构。这些结 构的功率LED比原支架式封装的LED输入功率提高几倍，热阻降为过去的几分之一。 W级功率LED是未来照明的核心， 世界各大公司投入很大力量， 对其封装技术进行研究开 发。单芯片W级功率LED最早是由Lumileds公司于 1998 年推出的LUXEON LED，该封装结构的 特点是采用热电分离的形式，将倒装芯片用硅载体直接焊在热沉上，并采用反射杯、光学透 镜和柔性透明胶等新结构和新材料，现可提供单芯片 1W、3W和 5W的大功率LED，Lumileds 公司拥有多项功率型白光二极管封装方面的专利技术。 OSRAM于 2003 年推出单芯片的Golden Dragon”系列LED，其特点是热沉和金属线路板直接接触，具有很好的散热性能，而输入功 率可达 1W。日亚的 1W LED工作电流为 350 mA，白光、蓝光、蓝绿光和绿光的光通量分别为 23、7、28 和 20 流明，预计其寿命为 5 万小时。 B 功率型LED封装技术概述 半导体LED若要作为照明光源， 常规产品的光通量和白炽灯和荧光灯等通用性光源相比， 距离甚远。因此，LED要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明 功率型LED封装技术主要应满足以下两点要 光源的等级。 由于LED芯片输入功率的不断提高， 求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED的光电性能 和可靠性。 功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构， 虽然其内量子效 率还需进一步提高， 但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。 现有的功率型LED 的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率， 改善芯片的热特性， 并通过增大芯片面 积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量，除了芯片外，器 件的封装技术也举足轻重。 功率型 LED 封装关键技术： a.散热技术 传统的指示灯型 LED 封装结构， 一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中 或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达 150～250℃ /W， 新的功率型芯片若采用传统式的 LED 封装形式， 将会因为散热不良而导致芯片结温迅速 上升和环氧碳化变黄， 从而造成器件的加速光衰直至失效， 甚至因为迅速的热膨胀所产生的 应力造成开路而失效。 对于大工作电流的功率型 LED 芯片， 低热阻、 散热良好及低应力的新的封装结构是功率 型 LED 器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝 质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装置，来降低器件的热阻；在器 件的内部，填充透明度高的柔性硅胶，胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出 现变黄现象；零件材