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氧化锌压敏电阻器的制备与特性研究 目 录 摘 要 IV 引 言 IV 第1章 绪 论 1 1.1氧化锌压敏电阻器的概述及发展状况 1 1. 2 配方及理论依据 4 第2章 实验部分 2 2.1 对照实验设计及说明 2 2.1.1 基底材料的选择 2 2.1.2 对照实验设计 2 2.2 实验过程 2 2.2.1 摩擦法制备石墨基柔性透明导电膜 2 2.2.2 四探针法测透明导电膜方阻 2 2.2.3 透光率测试 2 第3章 结果与讨论 2 3.1 柔性透明导电膜的导电、透光机理 2 3.1.1 柔性透明导电膜的导电机理 2 3.1.2 柔性透明导电膜的透光机理 2 3.2 不同量石墨粉的柔性透明导电膜（A组） 2 3.3 不同摩擦时间的柔性透明导电膜（B组） 2 3.4 不同压力的柔性透明导电膜（C组） 2 3.5 不同粒度石墨粉的柔性透明导电膜（D组） 2 3.6 结论 2 第4章 建议与体会 2 4.1 研制仪器与系统实验 2 4.1.1 制作设备的目的 2 4.1.2 设备功能的初步设定 2 4.1.3 定量的系统性实验初步设想 2 4.2 对于本实验的改进 2 4.2.1 利用膨胀石墨制备柔性透明导电膜 2 4.2.2 用离子液体型表面活性剂处理基底 2 4.3 其他可行的研究方案 2 4.3.1 单壁碳纳米管柔性透明导电膜 2 4.3.2 石墨烯柔性透明导电膜 2 4.4 课设体会 2 参考文献 7 ZnO压敏电阻的摘 要：为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。由于它的优良性能及使用的广泛，国内外对其进行了大量的研究，主要集中在压敏机理、微观结构、掺杂元素、工艺制度等等。本文介绍了什么是氧化锌压敏电阻陶瓷，简述了氧化锌压敏电阻陶瓷的制备氧化锌压敏电阻性能的影响。 氧化锌压敏电阻，制备工艺，，影响因素 自1968年日本松下电器公司科学家Matsuoka研制出压敏电阻器以来,人们从制备工艺、基础理论、应用开发等方面进行了大量研究。由于压敏电阻器性能优异已广泛应用于各个领域。, 它是典型的由晶粒大小、晶界结构控制宏观性能的材料。为了满足各种实际应用的不同要求, 通常采用添加不同金属氧化物来获得所需要的电性能。本实验以 为主体材料，掺杂金属氧化物、、、、 制作压敏电阻陶瓷，并改变的含量，以研究掺杂对电性能的影响。 第1章 绪论 1.1 氧化锌压敏电阻器的概述及发展状况 　压敏电阻相应的英文名称叫“Variable resistor”，压敏电阻器的电阻材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的 压敏电阻器是以 为主晶相的半导体陶瓷。 压敏电阻是一种多功能新型陶瓷材料,它是以为主体,添加若干其它氧化物(主要为过渡金属氧化物) 改性的烧结体材料,由于它具有性价比高、非欧姆特性优良、响应时间快(20～50ns) 、漏电流小、通流容量大等优点,因此被广泛应用于电子设备和电力系统及其它领域。随着电子产品的小型化、集成化,对低压压敏电阻的需求量越来越大。 压敏陶瓷主要用于制作压敏电阻器， 它是对电压变化敏感的非线性电阻， 其工作电压是基于所用压敏电阻特殊的非线性电流 -电压（I-V）特征。电流-电压的非线性主要表现：当电压低于某一临界（阀值电压）之前，变阻器阻值非常高，其作用接近于绝缘体（其I-V关系服从欧姆定律）；当电压超过临界值时，电阻就会急剧减少，其作用又相当于导体（其I-V关系为非线性）,其I-V 关系可用下式表示[4]：压敏电阻器优异的非线性特性来源于烧结体的微观结构。很多资料和文献对它的化学性能、物理性能、电气性能和微观结构进行了讨论。 1.1.1 化学性能 纯具有线性V - I 特性的非化学计量n型半导体,添加Bi2O3 ,Sb2O3 ,TiO2 ,BaO 等各种氧化物使其具有非线性。这些氧化物的引入,在晶粒和晶粒边界处形成原子缺陷,施主或类施主缺陷支配着耗尽层,而受主或类受主缺陷支配着晶粒边界状态。根据对 中缺陷平衡的研究,由缺陷向边界层不相等的迁移能够形成缺陷引起的势垒。 1.1.2 物理性能 压敏电阻器的非线性是一种晶粒边界现象,即在相邻晶粒耗尽层中存在的多数电荷载流子(电子) 的势垒,认为肖特基势垒最像微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界上的负表面电荷(电子捕获) 是由晶界两侧晶粒的耗尽层中正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传输机制。 1.1.3 电气性能 从压敏电阻器伏安特性来看,在正常工作电压下,它的电阻值很高,几乎是兆欧级、漏电流是微安,而随电压加大,阻值急剧下降,在浪涌电压冲击时,阻值几十欧姆,甚至0. 1～1Ω ,可见阻值随电压而变化，表现非线性特性。。图示给出了典型压敏陶瓷的I - V特性曲线,其V - I 特性大致可