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2017-09-03 发布于上海
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gan基led高能电子束流辐照效应研究 investigation on the properties of gan-led irradiated by high-energy electron beam.pdf

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gan基led高能电子束流辐照效应研究 investigation on the properties of gan-led irradiated by high-energy electron beam

第39 卷第12 期核技术 Vol.39, No.12 2016 年12 月 NUCLEAR TECHNIQUES December 2016 GaN 基LED 高能电子束流辐照效应研究 1 1 2,3 2,3 2,3,4 5 2,3,4 刘超于莉媛王志刚钱森夏经铠朱纳高峰 2,3 5 5 1 1 安广朋马毅超党宏社吴英蕾杨洁 1 （天津工业大学天津 300387 ） 2 （核探测与核电子学国家重点实验室北京 100049 ） 3 （中国科学院高能物理研究所北京 100049 ） 4 （中国科学院大学北京 100049 ） 5 （陕西科技大学西安 710021 ）摘要使用高能电子辐照对GaN 基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode, LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED 样品进行辐照实验，并通过自动测控系统对辐照过程中 LED 的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后，在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED 样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明，高能辐照对LED 的改性有明显效果，具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善，光谱峰值波长出现蓝移。同时，GaN 基LED 在辐照过程中是否通电对LED 的光电学性能有显著影响。关键词高能电子辐照，GaN，发光二极管，光电学性能中图分类号 TN312.8 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.120503 Investigation on the properties of GaN-LED irradiated by high-energy electron beam LIU Chao1 YU Liyuan1 WANG Zhigang2,3 QIAN Sen2,3 XIA Jingkai2,3,4 ZHU Na5 GAO Feng2,3,4 AN Guangpeng2,3 MA Yichao5 DANG Hongshe5 WU Yinglei1 YANG Jie1 1(Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) 2(Sta