RSD二维数值模拟与预充过程分析.PDFVIP

20 12 年 3 月 电 工 技 术 学 报 Vol.27 No. 3 第27 卷第 3 期 TRAN SACTION S OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Mar . 20 12 RSD 二维数值模拟与预充过程分析 余岳辉 冯仁伟 梁琳 （华中科技大学电子科学与技术系 武汉 430074） 摘要 为了加深对反向开关晶体管 （RSD）器件原理 认识，本文基于半导体物理基本方 程，在二维元胞单元上利用有限差分 方法建立了RSD 器件 数值模型。模型考虑了载流子间 散射、SRH 和俄歇复合、碰撞电离等物理效应。采用实验电路提取 参数建立了RSD 谐振预 充触发电路 外电路模型。联合器件模型方程组和谐振触发外电路模型方程，利用Matlab 语言 采用Runge-Kutta 和牛顿迭代 方法求解并获得了器件瞬态载流子分布和电 电流波形。本文 在对比实验结果 基础上，解释并说明了模型 有效性和误差 产生原因。基于载流子和电流 分布变化数据，详细分析了RSD 预充过程。发现了预充过程中存在 强烈俄歇复合现象和电流 抽取现象将导致预充电流注入 等离子体大量减少，因此不宜直接采用电流时间积分值计算预 充电荷总量。 关键词：反向开关晶体管 数值模拟 载流子分布 预充过程 中图分类号：TN389 Two-Dimensional Numerical Simulation of RSD and Analysis of Pre- Charge Process Yu Yuehui F eng R enwei L iang L in （Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China ） Abstract Based on the full set of semiconductor device equations, a 2-dimension numerical model of RSD (reversely switched dynistor) is set up in a cell structure with finite difference method to obtain a better understanding of RSD . Included in the model are the physical mechanisms such as carrier-carrier scattering, SRH and Auger recombination, impact ionization and so on . Besides, Circuit model triggered by resonant method is built upon the parameters extracted from experiment conditions. Together with the circuit model, the devices model is calculated by program written in Matlab with Runge-Kutta and Newton iterative method to obtain the distribution of carries and the waveform of current and voltage. Based on the comparison between the result of calculation and