电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述 the overview of cu2znsns4 thin films fabricated by electrodeposition.pdfVIP

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2017-09-04 发布于上海
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电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述 the overview of cu2znsns4 thin films fabricated by electrodeposition.pdf

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电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述 the overview of cu2znsns4 thin films fabricated by electrodeposition

j童扣熟 INDUSTRIAI．1mAI矾G V01．45No．42016 DOI：10．3969，j．issn．1002-1639．2016．04．009 电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述吴林松-一，谭凯·，谭景艺-一，林鹏·一，林一歆1，2 (1．华中科技大学能源与动力工程学院，湖北武汉430074； 2．华中科技大学中欧清洁与可再生能源学院，湖北武汉430074) ev，与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度摘要：Cu：ZnSnS。(CZTS)为锡黄锡矿结构的四元化合物，其禁带宽度为1．45 (1．5 CZTS有着很好的光电性能，组成元素在地球上含量丰富，安全无毒和环境友好，因而成为太阳能电池吸收层的最佳候选材料之在的挑战和今后的研究重点进行总结并展望了将来可能的突破方向。关键词：铜锌锡硫；薄膜制备；电化学沉积法；薄膜太阳能电池中图分类号：TGl66．2 文献标志码：A 文章编号：1002．1639(2016)04—0034—03 TheOverviewof ThinFilmsFabricated Cu／gnSns4 byElectrodeposition Yixinl·2 WU TANKail．TAN LIN LIN Jingyil2 Linson91，2 Pen912 and 2．China-EUInstituteforCleanandRenewable ofScience Energy，HuazhongUnivemity Technology，Wuhan Abstract：The of is1．45 isclosetothe Cu2ZnSnS4(CZTS)iscompoundkesterite，theband-gapenergy eV，which optimal quaternary 1．5eV．Its structureissimilartothe showa inthinfilmsolar field．The band-gapenergy crystal kesterite(CIGS)whichgoodefficiency energy CZTSareoneofthemostviablematerialsforlowcostthinfilmsolarcellssince are fromabundantmaterialsand theyproduced non·toxicity． theresearchsituationofthe the This introducethestructureand feature，surnmarizes current paper photovoltalic andthefocusoffutureresearchand are challenge developmentproposed．