100-2昆山科技大学高亮度LED技术期中考模拟题库-昆山电子历程.DOCVIP

四光電三A 4990B060 張育維 期中 1.為什麼LED通常都操作定電流模式，而不是定電壓模式？ VF上升，IF會急速上升導致LED燒毀，所以通常操作定電流 2.半導體LED結構多由PN接面所構成，而主要的發光區域，相當於PN接面結構的那個區域？該區域為何會產生內建電場，請說明之。 空乏區，P型電位高，N型電位低 3.LED磊晶結構的最外層，通常會沉積Contact Layer(接觸層)，該接觸層應該具備那些特性，並希望可以達到什麽功能？ 電流會選擇阻值較小的地方進行，由於P-GaN阻值較大，電流會集中在電極附近，降低發光效率，故沈積接觸層的話，可使電流分布均勻，提高出光率。 4.通常發光波長較短的LED，會具有較高或較低的順向偏壓？為什麼？ 較高的順向偏壓，波長較短，能隙較大。 5.檢測LED的反向偏壓特性，通常都是給電壓檢測電流，或者給電流檢測電壓？為什麼？ 早期LED通過逆向電流量崩潰電壓 AlGaInP、GaN材料均用MQW結構，磊晶厚度很薄，100A會造成材料損傷 所以要通VR量IR，IR須小於10A 6.請列出LED逆向偏壓特性不佳的原因(至少4個)。 材料品質不良、磊晶品質、封裝不良、使用不當 7.如何檢測出LED是否遇有閘流體(Thyristor)特性？又閘流體特性是如何產生的？ (1).通小順偏電流 ex.100A 量測VF?，VF太大，是不良品 (2)