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Abstract
Abstract
Plasma
enhancedchemical themain for
vapor
deposition(PECVD)isdepositiontechnique
silicon·basedthin—filmsolarcell．At industrial of silicon
present,the amorphous
production
thin-filmsolar
cells USeSthe electrodePECVDreactor
mainly capacitivecouplingparallel-plate
withtheexcitation 1
of for siliconthin-filmsolar
frequency3．56MHz．HoweveL
microcrystalline
VHF-PECVDwith than13．56MHz
excitation rate
cell，using higher deposition
frequency，high
canbeachievedandthe of siliconthinfilmcanbe
propertiesmicrocrystalline improved．HoweveL
forsilicon·basedthin-filmsolar offilm lessthan
cells，the thickness 4-10％is
non-uniformity
ofsiliconthinfilm
needed．Thus，the becomeserious astheexcitation
uniformity challenges
increases．The ofthinfilmbased VHF—PECVD
frequency uniformitydeposition large-area system
Was muchattentioninthisthesis．Thedetails
paid Canbeseeninthe
following：
1．The fieldsimulationof areaVHF—PECVDreactor
electromagnetic large
(1)The two-dimensionalcircuitmodelWasestablishedforVHF．PECVD
quasi—plane
reactorwith mode
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