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第 28卷第 8期 电 子 与 信 息 学 报 、，o1．28No．8 2006年8月 JournalofElectronics InformationTechnology Aug．2006 一 种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器 陈东坡 何乐年 严晓浪 (浙江大学超大规模集成电路研究所 杭州 310027) 摘 要 该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低 温度漂移偏置电流，可使LDO的静态工作电流降低到4gA。另外，通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构 使得电路的稳定性与输出电流无关，达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的O．5gniCMOS混合 信号模型，并通过了流片验证。测试结果表明，该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为 2mV和 14mV； 输出的最大电流为300mA：其输出压差在 l50mA输出电流，3．3V输出电压下为 170mV：输出噪声在频率从22Hz 到80kHz间为 150gVnMs。 关键词 低压差线性稳压器，静态电流，稳定性，线性和负载调整 中图分类号：TN401，TN86 文献标识码：A 文章编号：1009-5896(2006)08-1526-04 ALow-dropoutRegulatorwithLowQuiescentCurrentandHighStability ChenDong．DO HeLe．nian YanXiao—lang (TheInstituteofVLSIDesign，ZhejiangUniversity，Hangzhou310027，China) Abstract Anunconditionally stablelow ·dropoutregulatorandlow quiescentcurrentispresented．TheLow DropOut (LDO)basedonahighprecisionCMOScurrentreference，whichiscomprisedofsubthresholdtransistorsandhassmall temperaturecoefficient，providesalow quiescentcurrentofapproximately4 ．Furthermore，byutilizingthedesign methodofactiveMillerrfequencycompensation，theproposedLDO’SstabilityisindependentoftheloadortheEquivalent SeriesResistance(ESR)oftheoff-chipcapacitor．Thechipdesignisbasedon0．5gniCMOSmixed-signalprocessof CSMC．Thesimulationandexperimentalresultsshow thatthelineandloadregulationsareonly2mV and 14mV’ respectively．Thedropoutvoltageisonly170mV at150mA outputcurrentwhenoutputvoltageis3．3V．Theoutputnoiseis 15CIgVRMswhenrfequencyrangeisrfom 22Hzto80kHz． Keywords Low-dropoutregulator，Quiescentcurrent，Stabiliyt,Lineandloadregulation 1 引言 上的极点相互抵消的办法使系统稳定 J。但是 ESR容易受 环境，如温度