ch1集成运放及基础知识.pptVIP

集成电路原理及应用 (第二版)谭博学、苗汇静主编电子工业出版社 教材 参考教材 第一章集成运算放大器的基础知识 集成运算放大器的基本组成 集成运放的基本单元电路 双极晶体管的基本结构示意及符号图 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），由两个PN结组成，三个中性区组成。引出三个电极分别为基极（Base）、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。三个中性区分别为发射区、基区、集电区。发射区与基区之间部分称做发射结，基区与集电区之间的部分称集电结。晶体三极管分PNP和NPN型两种。 双极晶体管的工作模式 右图所示npn的结构，其工作模式： (1)、饱和区 条件：发射结正偏、集电结也正偏。典型值为VBE=0.7V (硅管)，而饱和压降VCE(sat)=0.3V 双极晶体管的VBE与IC的关系 共发射电路的VBE与输入电流IB之间的关系曲线 实际上VCE 0.3 V 时，VCE对输入特性影响较大， VCE 0.3 V 以后，影响较小，对于一般工作于放大状态的三极管总满足条件 VCE 0.3 V ，这时诸输入特性靠得很近，通常只画出一条特性曲线。 双极晶体管的放大作用 CE放大器的输入输出曲线 例：判断下图晶体管处于何种工作状态（放大、截至、饱和或损坏），说明理由（05年中科院中科大）。 例：在晶体管放大电路中，测得三集管各管脚电压如下图所示，试判断各三集管的类型（PNP还是NPN，硅管还是锗管）, 并判断e、b、c各是哪个管角。（03华科） 双极晶体管的低频小信号模型 厄尔利电压 实际三极管的放大区特性并非严格的水平，而是略微向上翘，如下图所示。这意味着VCE的变化对IC仍存在一定的影响，三极管输出特性并非理想恒流源。实际输出特性的延长线与横坐标的交点它们将近似相交于公共点A 上。对应的电压用VA表示，称为厄尔利电压(Early Voltage)。 双极晶体管H参数与常用小信号参数的关系 输入/输出回路电压/电流关系可表示为 双极晶体管H参数与常用小信号参数的关系 双极晶体管H参数与常用小信号参数的关系 三极管小信号完整模型 rbb是基区体电阻， rcs是集电区体电阻 res是发射区体电阻 一般: rbb=50~300Ω res=1~3Ω rcs=20~500Ω 三极管小信号完整模型 基本放大电路（CE、CB、CC、CE-CB） 电容耦合的CE放大器 带发射极负反馈电阻的电容耦合CE放大器 CC放大器（射极跟随器） CC放大器用作缓冲输出级 CB放大器 例：下图中两管参数相同。?＝100，hie＝1K， 求Av、Ri、RO （06中科院中科大） 。 基本放大电路的特性比较 密勒定理 密勒定理：设有一个具有n个节点的线性电路，其中节点0为参考点。而节点1和节点2之间有一电阻Z相接，如右图所示。 密勒定理 密勒定理 密勒电容 CE放大器的密勒效应 CE、CB、CC的小信号等效电路比较 直接耦合与电容耦合放大器级联的差异 常见的电平位移电路 直接耦合中的静态偏置问题 差动输入电路（1） 差动输入电路（2） 差动输入电路（3） 恒流源电路（1） 恒流源电路（2） 两种微电流镜的仿真结果 恒流源电路（3） PNP电流镜的仿真结果 例：试比较下面两个差分对的差异 ?A741的内部电路 基准电压产生电路（齐纳基准） 基准电压产生电路（带隙基准） 运放的稳定性及其判断 系统的传输函数 令 Z(s)=0,得零点SZ，令 P(s)=0,得极点SP。零、极点都是复数，稳定系统要求RE(SP)0。 在A(S)令S=jω，则| A(jω) |模值的大小即是放大器的幅频特性，它是频率f的函数。 在A(S)令S=jω，则∠| A(jω) |的大小即是放大器的相频特性，它也是频率f的函数。 运放的不稳定性条件 波特图的画法 幅频曲线中，每经过一个极点ωP(零点ωZ)，曲线斜率以-20dB/dec (+20dB/dec )变化。 相频曲线中，相位在0.1ωP(0.1ωZ)处开始变化，每经过一个极点ωP(零点ωZ)，相位变化-45° (±45°)，相位在10ωP(10ωZ)处变化-90° (±90°) 一般来讲，极点 (零点)对相位的影响比对幅频的影响要大一些。 利用波特图判断运放稳定性的方法 运放的稳定性及其判断（例） 例:下图为一运放的开环波特图,⑴写出运放的传输函数 相位余度PM与运放闭环响应的关系 运放极点与单位增益带宽GW的关系 运放的常用补偿方法（1） 密勒电容补偿：利用电容的弥勒倍增效应使第一主极点向原点靠近，使增益曲线在相位到-180°前提前降到0dB。 运放的常用补偿方法（2） 利用前馈回路产生LHP零点以消除第二个主极点（Doublet Te