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《纳米电子学基础》 第一章 绪论 (2)续 、（3）特征尺度 Characteristic scales ——空间尺度量变引起电子学的质变 技术物理学院 杜磊 XIDIAN506LAB 第一章 绪论 1.1 引言 纳米电子学是微电子学发展的必然结果 1.2 纳米结构中的介观现象 纳米结构中物质运动的新现象和新效 应 1.3 空间与时间特征尺度 与纳米电子学相关的特征尺度 XIDIAN506LAB 1.2 纳米结构介观现象 • 1.2.1 “介观” 的概念 • 1.2.2 粒子性表现的介观现象 – 弹道输运 – 载流子热化现象 – 单电子现象与库仑阻塞 • 1.2.3波动性表现的介观现象 – 相位干涉导致的现象：普适电导涨落 弱 局域化 – 电子隧穿现象：隧穿漏电流 共振隧穿 • 1.2.4 纳米MOS器件的新效应 XIDIAN506LAB MOS结构研究的意义 • MOSFET结构的研究既具有显 著效益，又具有重要的科学 意义 • 社会效益——现代信息技术基础 – 现代计算机、通讯系统、电子 系统的基础 •经济效益—— 巨大规模的市场—制造处理器、存储器、 CCD、探测器等 •科学价值——其中发现许多新现象和新效应—二维电子气、 电导量子化和普适电导涨落、载流子能量量子化、弹道输运 •MOSFET小型化后出现许多既有科学价值，又有工程价 值的新效应。 XIDIAN506LAB MOSFET发展趋势 出现新的效应 XIDIAN506LAB 纳米MOSFET中的新效应 物理效应 唯象效应 – 量子效应 – 短沟道效应（SCE） • 量子化效应 – 反短沟道效应(RSCE) • 隧穿效应 – 漏极诱导势垒降低 （DIBL ） • 干涉效应 – 迁移率退化 – Narrow Width Effect – 介观效应 – Sub threshold conduction • 弹道输运 – Sub threshold limitation on Vt • 单电子 scaling • 电导涨落 – Velocity saturation • 散粒噪声 – Pun