微电子技术新领域神奇的碳纳米管.docVIP

微电子技术新领域——神奇的碳纳米管 金刚石和石墨被认为是仅有的两类碳的固体形态。直至1985年发现了以碳60为代表的富勒烯、从而令碳结构研究格外引人关注；碳60可由石墨碳棒电弧放电来合成，人们收集碳灰而忽略了放电后阴极上产生的沉积物。1991年，日本筑波NEC研究室内科学家首次在电子显微镜里观察到有奇特的、由纯碳组成的纳米量级的线状物。此类纤细而颀长的分子就是众所周知的碳纳米管 　　石墨只有层状结构，可以看做是由原子纸堆叠而成。若将这样的原子纸卷成管形状，就是碳纳米管。虽然现在对于碳原子为什么会凝聚而成管状，还没有令人信服的解释。 　　碳纳米管有许多优异的性能，如超高的反弹性、抗张强度和热稳定性等。被认为将在微型机器人、抗撞击汽车车身和抗震建筑等方面有着极好的应用前景。但是碳纳米管的第一个获得应用的领域是电子学领域、近年来，它已成为微电子技术领域的研究重心。 　　石墨是介乎导休和绝缘体之间的半导体材料：在石墨层里，有个决定着它的全部导电性的特殊电子态，即费米点。在卷成管状后，只有1/3的碳纳米管由于有正确的直径和扭曲度能够把费米点包含在它允许的能级里，它们才是真正的具有金属性的纳米导线。剩下的2/3的纳米管是半导体，也就是说和硅那样，如果不外加能景〔例如用光或外加电压使电子从价带跳到导带）电流是很难通过的。所需能量决定于价带和导带之间的宽度，即所谓的半导休的能隙或禁带宽度。正是因为半导体材料有此能级结构，而且不同材料或同类材料纤经过掺杂后，有不同的禁带宽度，才会有类型繁多的电子器件。碳纳米管的禁带宽度可以从0（像金属） 一直增长到和硅相当，当然也可在中间的某个位置上。现在还没有任何其他的材料在调制其性能时，能够像碳纳米管那样地做到随心所欲。 　　碳纳米管在电子电路技术里，原则上可以起到和硅相同的作用，而硅和其他半导体材料在分子级上都无法工作。目前已经能够把芯片上的晶体管的临界大小做到200纳米以下（宽度大约为400个原子），但是器件进一步微型化却困难重重。器件的微型化有着巨大的经济推动力，因为体积的减小，将使微电子器件的工作速度、集成密度和效率快速地增长。过去几年的研究工作表明，在数十纳米上下的导线和功能器件可以用碳纳米管来制造，并连接成电子电路。其工作速度将过高于已有的产品而功率损耗却极低! 　　不少研究组已经成功地用碳纳米管制成了电子器件。例如IBM 的科学家们就用单根半导体碳纳米管和它两端的金属电极做成了场效应管（FETs）。通过是否往第三电极施加电压，可以成为开关，此器件在室温下的工作特性和硅器件非常相似，而导电性却高出许多，消耗功率也小。按理论推算，纳米级的开关的时钟频率可以达到1太赫以上，比现有的处理器要快1000倍。 　　具有不同禁带宽度的纳米管的集合应当具有发光二圾管的特性，甚至于成为纳米级的激光器。现在已经能够做出完全用纳米管做成的纳米电路，其中包括导线、开关和记亿元件。此类电路是一个一个地制成的，都需要用到传统的光刻技术和高分辨的工具，如利用原子力显微镜移动或放置纳米管等。要达到现在制造硅芯片的生产规模和高度的自动化水平，还有很长的路要走。 　　至于更加复杂的纳米管基电路，则必须找到在特定的位置和取向上制造特定形状和大小的纳米管的方法，斯坦福大学的科学家曾演示了在基体上用镍、铁或其他催化剂做成位点的方法来实现纳米管的定点生长，哈佛大学的小组则采用在硅纳米线外包裹纳米管的方法，因而可以用常规方法来连接电路。上述方法提高了在芯片电路里利用碳纳米管做晶体管和连接导线的可能性。 　　现在的芯片上的金属导线宽度多为250纳米，如果想增加芯片上器件的密度，导线必须更细。但是，由此产生的热聚集和金属导线里电子逸出的问题，一直是难以克服的障碍、而纳米管有可能解决上述问题。碳纳米管有着同金刚石和蓝宝石相近的热导率，所以可以迅速地冷却，而且由于碳原子间的化学键强于任何其他金属，可以允许大电流通过。按某些测量结果表明，截面为1平方厘米的碳纳米管束允许通过的电流可以达到1×10＾9 安培，而在同样的电流密度下，铜或金都会因为电阻热而气化，就像保险元件那样化为乌有。 　　除纳米电路外，碳纳米管的其它有趣的电子学特性也已付诸应用，那就是纳米管平面显示器。1995年，来斯大学的研究人员发现，当碳纳米管直立并通电时，由于电场集中在它的尖端。所以可用作发光柱，在顶端以高速发射电子。因为它的尖端很小，所以发射电子所需要的电压低于其他材料的电极，也由于碳键的强度，它的使用寿命会很长。场发射一直被认为是可以用来取替笨重的电视和计算机显示装置的选择，但是长期以来困扰于缺少实用的场发射管，碳纳米管的出现，有可能解决替换阴极射线管和液晶配电板的问题。目前，该领域的研究已接近产业化。 　　碳纳米管还有个独特的电子学性质，即量子效应愈显重要。当足够小