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2017-10-06 发布于河南
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第卷第期功能材料与器件学报 9 1 VoI. 9, No. 1 年月 2003 3 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES March, 2003 文章编号: 1007 - 4252 ( 2003 ) 0 1 - 0047 - 06 GaAsFET 的表面漏电 1 2 3 李效白马农农侯晓远 , , ( 1. 专用集成电路国家重点实验室，石家庄市05005 1; 2. 电子材料研究所，天津300 192; 3. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 ) 摘要：及其他族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题，它对化合物半 GaAs ! - + 导体器件和电路的性能有重要的影响。沾污表面使表面漏电大幅度上升，硫钝化 Na GaAs GaAs 场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET 表面漏电的研究进展。关键词砷化镓场效应管击穿电压漏电 + 沾污硫钝化 : ; ; ; Na ; 中图分类号：文献标识码： TN386 A Current leakage about GaasFET surface 1 2 3 LI Xiao - bai , MA Nong - nong , HOU Xiao - yuan ( 1. NationaI Key Laboratory of ASIC, Shijiazhuang 05005 1, China; 2. EIectric MateriaIs Reaserch Institude, Tianjin 300 192, China; 3. Surface Physics Laboratory of Fudan University, Shanghai 200433, China ) abstract: Current Ieakage of the surface of GaAs and other ! - semiconductors arises great interest. The Ieakage has an important infIuence on characteristics and reIiabiIity of compound semiconductor devices and ci