pn结 半导体物理_第的七.pptVIP

第七章 PN 结本章学习要点：1. 了解PN结的结构及空间电荷区的概念；2. 掌握零偏状态下PN结的特性，包括内建电势、内  建电场以及空间电荷区宽度等；3. 掌握反偏状态下PN结的空间电荷区宽度、内建电  场以及PN结电容特性；4. 了解非均匀掺杂PN结的特性；; §7.1 PN结的基本结构1. PN结的基本结构PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。;2. 制造PN结的方法：（1）外延方法：突变PN结；（2）扩散方法：缓变PN结；（3）离子注入方法：介于突变结与缓变结之间； 为简单起见，首先讨论突变结。;理想突变结： P型区和N型区分别均匀掺杂 ?? P型区掺杂浓度为Na ?? N型区掺杂浓度为Nd 冶金结是面积足够大的平面 ;3. PN结空间电荷区的形成 两种材料接触形成PN结时，冶金结两侧将出现载流子密度差，形成可动载流子的扩散流：?? * 电子离开N型区向P型区扩散，在N型区留下带正电荷的施主离子。?? * 空穴离开P型区向N型区扩散，在P型区留下带负电荷的受主离子。; 离化的杂质中心固定不动，出现净正、负电荷，该区域即为空间电荷区。 ;空间电荷区及内建电场的形成过程示意图;平衡PN结的特点：;达到平衡状态的PN结能带图具有统一的费米能级; §7.2 零偏状态下的PN结零偏状态:V外=01. 内建电势差 由PN结空间电荷区的形成过程可知，在达到平衡状态时，PN结空间电荷区中形成了一个内建电场，该电场在空间电荷区中的积分就形成了一个内建电势差。 从能量的角度来看，在N型区和P型区之间建立了一个内建势垒，阻止电子进一步向P型区扩散，该内建势垒的高度即为内建电势差，用Vbi 表示。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;内建势垒的高度：;2、电场强度 耗尽区电场的产生是由于正负电荷的相互分离。右图所示为突变结的体电荷密度分布。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;结论： 1）E≤0 ； 2）电场强度为直线分布 3）电场强度最大值在x=0处；;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;最大电场强度 由PN结界面处电场连续可得：;内建电势： 将内建电场对空间电荷区进行积分，即可求得空间电荷区中的电势分布。在P型区一侧有：;设置电势零点为：;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET