PMT基金会.docx

光电倍增管(Photomultiplier Tube)理论：一：基本原理：结构:光电倍增管主要包括：光阴极（K），聚焦电极（F）*，倍增极（Dy）,阳极（P）。端窗种类：硼硅玻璃，合成石英等。光电面种类：双碱（Sb-Rb-Cs,Sb-K-Cs）,GaAs等。倍增极种类：环形聚焦型，直线聚焦型（时间特性最好），盒栅型等。工作原理：光照射光阴极K产生光电效应发射光电子（一次电子），在电场作用下加速，聚焦，轰击第一倍增极，产生更多电子（二次电子），经过十个左右倍增极逐级倍增，由阳极P输出（若有RL，转化为电压信号输出）。电流分析：模型：电路：电流实际流向：流过分压器的电流I近似表示为：I=实际流过分压器的电流是I与与I方向相反流过P-Dy-R-P回路的阳极电流I之差。保持所加高压不变，随着光通量增大，由倍增极放大的电子流引起的阳极与末极倍增极间电压下降最明显（不影响末级倍增极的二次电子发射系数，而影响到末级以前的电压分配），阳极的收集效率降低，产生饱与现象。工作方式：直流工作指PMT一直受光照射，适用于长时间或重复测量弱光事件。脉冲工作指PMT仅在信号来到时才受到光照射，适用于短时间或一次性测量弱光事件。暗电流：PMT在完全黑暗的环境下仍有微小电流输出，主要由光电面、倍增极表面的热电子发射（材料）及管脚间（接分压器）的漏电流引起的。实验前置于黑暗中30分钟或更久。二：相关参数：辐射灵敏度：光电面的发射电流与某一波长的入射光的辐射功率（附）之比： = S（）2，量子效率（QE）：从光电面发射的光子数除以入射光子数的值：QE = . S. 100％验证： QE = ..其中 Q= L.t 为出射光子数=为单个光子能量.t 为入射光子数∴ QE = . S. 100％ 得证QE与波长有关，有不同的光谱响应曲线。3, 收集效率（）：入射到第一倍增极有效部分的光电子几率。有效部分指入射到第一倍增极的光电子它所产生的二次电子在第二倍增极以及以后各级都能被有效倍增。其中第一倍增极的收集效率影响较大，需提高光阴极及第一倍增极间的电压，保证在70V以上。之后的各收集效率，由于电子数目的增多，影响不大。二次电子发射系数（）：= a . E其中 a为常数，K由电极的构造与材料决定，值0.7-0.8间。= 其中I指入射到第一倍增极，发射出的电子流；I指从光电面发射的光电子流。=即第n打拿极与Dy与Dy间的电压有关。经查，一般发射系数在100V时为3-5,在70-80V时为2。5, 电流增益：= 其中I指阳极电流。= .∏6, 信噪比（SN）：噪声来源：光电面发射的热电子产生的暗电流；信号电流产生的散粒噪声。噪声成分影响观测输出波形，可通过制冷光阴极及选取高QE的PMT等获得良好的信噪比。也可牺牲增益来提高，信号幅度由放大器保证。7, 输出线性：输出电流I与分压器电流I的关系，一般输出电流的最大值为分压器电流的--。阳极线性：输出电流对入射光通量的关系。阴极线性：光阴极发射电流与入射波长的关系，因光电面材料而异。三：外接电路：分压器：实现各极间的电压供给。阳极接地，阴极接-HV：消除放大器回路与阳极间的高电势差，有利于与后续电路相连；阴极与外部接地的屏蔽罩电势差大，产生漏电流，增加噪声（低通滤波器）。阴极接地，阳极接+HV: 阴极电势为零，与接地屏蔽罩等电位，消除漏电流；阳极处于高电位，后接放大器前需加电容。锥式分压：为保证前几极收集效率，需加足够电压，尤其是K与Dy之间。后几级为避免电子密度增大带来的空间电荷效应（附），影响饱与电流大小，采用倾斜式分压。并联电容，及时补充电荷，保持分压电阻的电压稳定。电容的取值要大于此级脉冲电荷的100倍（保持1％输出线性，即I/I =1％,相同时间内，电容储存电荷量至少为输出电荷量的100倍）。前置放大器应用：一：对于R1828-01型：端窗型PMT，12个打拿极，峰值QE为26％（420nm下）。管脚图20个均匀分布极点。IC指空脚工艺，G1，G2指空极点（不对应打拿极）。ACC指accelerating electrode,加速电极。（打拿极个数多时，加在中间打拿极上）*原理图R1与C1组成低通滤波器：两者串联，让负高压通过，降低高压带来的噪声（高于截止频率的信号不能通过）。R2-R15：分压电阻R16-R18：阻尼电阻（10-100Ω，减轻输出波形振荡）RL：负载电阻二，电阻电容估计：考虑锥式分压：各分压电阻阻值分配为KG1G2Dy1Dy2Dy3Dy4Dy5Dy6Dy7Dy8Dy9Dy10Dy11Dy12P12211111111.522.53∑R=21估算R15，C数值：法一：设脉冲宽度T= 10ns，幅度为50mv, 负载电阻50Ω。所加高压为1500V，输出线性设为3％。则C= Q