电导5.3.pptVIP

5.3.1电子迁移率 经典力学理论 质量me的电子，在外电场E的作用下自由电子的加速度： a=eE/me 电子每两次碰撞之间的平均时间2?； 单位时间平均散射次数1/2 ? ； 自由电子的平均速度：V= ?eE/me ； 自由电子的迁移率： ?e=V/E= ?e/me ； 量子力学理论 电子的运动速度：Ｖg=2π（dγ/dk） γ:德布罗意波的频率；k：波数。 因E=hγ,则Ｖg=（2π/h）（dE/dk） a=Ｖg/dt= （2π/h）.（d2E/dk2）. （dk/dt） 在外电场Eo的作用下，在dt时间内，能量变化dE: dE= （dE/dk）. dk=e Eo dk= e Eo （Ｖg×dt ） 得：m*= （ h2 / 4π2 ）（ d2 E/dk2）-1 意义： （1）引入有效质量可使问题简单化，直接把外力和加速度联系起来，而内部的势场作用由有效质量概括。 （2）解决晶体中电子在外力作用下，不涉及内部势场的作用，使问题简化。 （3）有效质量可以直接测定。 电子和空穴的有效质量是由材料的性质决定的。 电子的平均速度：V= ?eE/ me* ； 电子的迁移率： μ=eτ/ me* 平均自由运动时间是由载流子的散射强度决定的 掺杂浓度和温度对迁移率的影响是对载流子散射强弱的影响。 散射越弱，τ越长，迁移率越高。 5.3.2载流子浓度 载流子--------电子、空穴 导带中的电子浓度： ne=∫ ?(E) dE= ∫ G(E)Fe(E)dE 式中，G(E):电子允许状态密度；Fe(E)：电子存在的几率 ne=∫ Gc (E)Fe(E)dE Gc (E)：导带的电子状态密度 Gc (E)= ( )3/2 (E - Ec )1/2 ne=∫ Gc (E)Fe(E)dE = ( )3/2 eEf/kT(E - Ec )1/2 得出： ne=2（2π me*kT/h2 ）3/2exp[-(Ec-Ef)/kT] 令：Nc= 2（2π me*kT/h2 ）3/2（导带的有效状态密度） ne= Nc exp [ - ( Ec-Ef ) / k T ] 同理：价带中空穴的浓度： nh= ∫ Gv (E)Fh(E)dE =2（2πmh*kT/h2 ）3/2 exp [ - ( Ef-Ev) / k T ] = Nv exp [ - ( Ef - Ev) / k T ] Nv = 2（2πmh*kT/h2 ）3/2 （价带的有效状态密度） 本征半导体中， ne= nh，求出费米能级Ef Ef= - kTln ne= nh = 2（2π kT/h2 ）3/2(me* mh*)3/4 = 2（2π kT/h2 ）3/2(me* mh*)3/4 × exp ( - Eg /2 k T ) =Nexp ( - Eg /2 k T ) 式中N 为等效状态密度。 N=2（2π kT/h2 ）3/2(me* mh*)3/4 2 杂质半导体中的载流子浓度 杂质的作用：杂质半导体分为p型半导体和n型半导体 能带结构：施主能级（n型半导体）、受主能级（p型半导体） n型半导体 的载流子……电子 p型半导体 的载流子……空穴 n型半导体 设半导体单位体积中有： ND为施主原子 ED施主能级 Ei=E-E0电离能 当温度不高时，Ei＜＜ Eg 导带中的电子浓度： ne=（NCND）1/2exp[-(EC-ED)/2kT] 费米能级： Ef= (EC+ED) - kTln p型半导体 设半导体单位体积中有： NA为受主原子