GaN基异质结构材料测试分析.PPT

GaN基异质结构材料测试分析 报告人：林智、于臻 指导教师：杜江锋 主要内容 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 样品结构 硅离子注入造成的晶格损伤 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 不同剂量离子注入对晶格损伤的影响 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 未退火条件下不同剂量Si离子注入晶体的应变情况 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 快速热退火对晶格损伤的修复 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 电学特性测试分析 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 (b)载流子浓度 (a)载流子迁移率 Si注入GaN–衬底异质结构测试分析 电学激活率随退火温度变化 样品结构 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 样品晶体结构的测试分析 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 样品相组成的测试分析 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 样品应变的测试分析 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 Williamson-Hall曲线 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 样品 非均匀应变 面内共格 (nm) 垂直共格 (nm) A -0.000974 830.1 58.0 B -0.001045 950.9 48.6 C -0.000777 2837.2 52.6 样品镶嵌结构尺寸 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析 样品位错密度的测试分析 GaN–AlN–衬底异质结构测试分析