IBS操作流程-微奈米科技研究中心.DOC

超高真空離子束濺鍍機 Ultra-High Vacuum Ion Beam Sputter 撰寫者：蔡名琨 部份修改：彭政展 2009/05/23 目錄 前言………………………………..…………….3 原理…………………………………………...…3 系統分類……………………………………...…7 配備介紹……………………………………...…9 操作面版介紹……………………………….…11 操作流程…………………………………….…17 注意事項…………………………………….…30 參考文獻……………………………….………32 前言： 所謂物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD），是以物理現象來沉積的方式，最常使用的有蒸鍍(Evaporation)與濺鍍(Sputter)。蒸鍍最主要的原理是藉由對靶材(Target)加熱，使靶材在高溫（接近熔點）時所產生的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積(詳細內容可參看電子蒸鍍機的操作手冊)；然而濺鍍是利用電漿(plasma)中的離子，對有外加電極（Electrode）的靶材進行轟擊(Bombardment)，藉由將靶材上的原子或團簇(cluster)打出，使其沉積在欲沉積的基材(substrate)上，以產生薄膜。而超高真空離子濺鍍法(UHV IBS)便是屬於濺鍍的一種，以下會加以說明。 原理： 2-1介紹 超高真空離子束濺鍍法(UHV IBS)的濺鍍原理和薄膜成長機制與直流磁控濺鍍有許多相似的地方，不同處在於濺射過程中高能離子的來源不是用陰極輝光放電(Cathode Glow Discharge)，而是採用電子迴旋共振(Electron Cyclotron Resonance，簡稱ECR)。也就是說離子源乃是利用微波產生器(microwave generator)來形成的，利用產生的微波控制電場的大小，使電子產生迴旋共振放電(ECR)，以產生高能的離子束。且氣體分子之離子化及加速過程，皆在離子發射源中完成。如圖2-1[2]便是其示意圖。 圖2-1 離子束濺鍍裝置圖。[2] 2-2電子迴旋共振(ECR) 參考圖2-1，當微波通過一個介電層，進入到一個由外加螺形線圈所構成之磁場的腔體中，自由電子受到垂直於磁場方向之微波電場的加速，會繞著垂直於磁場之平面做旋轉。此種現象便稱為電子迴旋加速共振(ECR)，此即在離子槍中產生電漿之區域。 當腔體壓力夠低時，將有許多電子環繞著垂直於磁場之平面旋轉，在此過程，電子能量將提高且以螺旋形的旋轉方式向外擴張其迴轉加速半徑rc，直到電子碰撞到氣體分子或腔體壁為止。為了使電漿持續存在，電子必須具有足夠碰撞游離之能量，以平衡某些電子因往電漿外圍擴散而失去的電子。因此，工作壓力必須有其限制，通常控制在10-2~10-4Pa之間。若工作壓力太高，則電子在迴旋加速的過程，將伴隨許多電子間之碰撞，如此，將使的共振頻率降低，會將低磁場的效能。同樣的，若工作壓力太低，則電子所產生的有效碰撞次數會很少，產生的離子數目也相對的減少，不利於離子束的形成。 2-3微波(microwave)原理 由圖2-2[2]可以了解微波為何能激發出電漿，當微波進入Ar氣體中時，電子(存在於大氣中)因與氣體碰撞而改變其原先之混亂方向，部份電子將受到微波電場之影響，而改變相位，藉此獲得加速度。如圖2-2(a)[2]所示，微波振動所產生的電場為 由電場作用在電子上之力量，將使電子產生平行於電場方向之加速度，此時，電子之速度與時間的關係，如圖2-2(b)[2]所示。當微波之電場到達零點(π/2)並朝向負方向移動時，則電子之加速度(Ve)將達到負值之最大值，並開始行減速度；接著，電場到下一個零點(3π/2)，則電子之速度(Ve)將達到正值之最大值。由此可知，微波之電場(E)與電子速度(Ve)，其相位差90o(π/2)，且電子沒有淨能量之增益。 使用微波產生的電漿有許多優點： 微波電漿具有較高的電漿密度(plasma density)及游離率。 微波電漿中被活化的分子及化學活化基(chemical radical)的數量可以高出射頻電漿許多。 微波電漿不需要電極，且電漿層(plasma sheath)的電位較低，因此製程上污染的問題較小。 圖2-2 (a)微波下電場之影響，與(b)自由電子在真空中的速度，兩者相位差90o(π/2)。[2] 2-4濺鍍原理 當離子從電漿中被引出，並藉由離子槍正偏壓作用，將離子加速去撞擊靶材，讓被打出的原子或團簇(cluster)沉積在基材(substrate)上，來形成薄膜。相較於磁控濺鍍的離子源通常垂直靶材之角度入射，離子束撞擊靶材有一角度θ可以變動(參考圖2-1)，因此可以調整角度來決定原子或團簇的行進路線。 另外，離子束流量與能量是影響沉積