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中国电子科技学术网 www.EMC 第六部分电缆的EMC设计 处于电磁场中的电缆 电磁场在电缆上的感应电压 平衡电路的抗干扰特性 提高共模干扰抑制的方法 非平衡转换为平衡 屏蔽电场 磁场对电缆的干扰 减小感应回路的面积 屏蔽电缆减小磁场影响 抑制磁场干扰的试验数据 抑制磁场干扰的实验数据 导线之间两种串扰机理 耦合方式的粗略判断 电容耦合模型 耦合公式化简 电容耦合与频率的关系 屏蔽对电容耦合的影响－全屏蔽 部分屏蔽对电容耦合的效果 互电感定义与计算 电感耦合 电感耦合与电容耦合的判别 非磁性屏蔽对电感耦合的影响 双端接地屏蔽层的分析 VS2项求解 屏蔽后的耦合电压 屏蔽层的磁场耦合屏蔽效果 长线上的耦合电压 互感耦合：当一个电路产生的交变磁场穿过另一个电路时，在这个电路中会感应出电压。这说明前一个电路中的能量耦合进了后一个电路。这种耦合就是电感耦合。它是由两个电路之间的互感产生的。耦合电压的数值为： VN ＝ M dI1 / dt 减小互感耦合的方法：从公式中可以看出，减小互感耦合的关键是减小互感M。根据前面对互感的讨论，可以知道以下方法可以减小互感： 1 增加两个回路之间的距离； 2 减小第一个回路产生的磁通密度（在电流幅度不变的情况下），例如将第一个回路的 两根长导线用双绞线； 3 减小接收回路的面积； 4 调整两个回路的相对位置、角度关系。 自电感：当一个回路中有电流I流过时，会在回路中产生磁通?，磁通量与电流之间的关系通过一个系数L来确定，这个L就是自电感： L = ? / I 自感与回路的面积、回路中物质的磁特性有关，增加面积、填充高导磁率材料都能够增加自感。 互电感：如果电路1中的电流I1在电路2中产生了磁通?12，且电路2中的磁通量?12与电流I1之间通过一个系数M来确定，这个M就是互感： M = ?12 / I1 互感与电路2的面积、相对于电路1的位置、角度以及空间的物质磁特性等有关。减小回路2的面积、增加与回路1 的距离、调整相对角度等都可以减小互感，而填充磁性物质可以增加互电感。变压器中使用高导磁率的铁心是为了增加互感，使电路1中的能量全部耦合进电路2。 互电感的计算：计算互电感时常用的一个基本公式是载流导体产生的磁通密度公式： B = ? I / 2 ? r 式中：B = 磁通密度， I= 导体中的电流， r = 距导体的距离。 用这个公式就可以计算出任何回路中所包围的磁通量，从而计算互感。 导体1在环路2中的磁通量：?12 = ∫ bb+a（? I1 / 2 ? r）dr = ? I1 / 2 ? ln（b+a /b） 导体2在环路2中的磁通量：?12 = ∫bb-a（? I1 / 2 ? r）dr = ? I1 / 2 ? ln（b/b-a） 总磁通量为： ?12 = ? I1 / 2 ? ln（b/b-a）- ? I1 / 2 ? ln（b+a /b）= ? I1 / 2 ? ln[b2/（b2- a2 )] M = （ ? / 2 ? ）ln[b2/（b2- a2] 实际导体总不能完全屏蔽起来，至少在两端要暴露出来。这时，导体1和导体2之间还会存在电容C12 ，导体2对地之间有电容C2G ，这时，即使导体2 的屏蔽层接地，导体2上也还有耦合电压： VN = V1 [ C12 / ( C12 + C2G + C2S ) ] 这种情况与没有屏蔽时的情况相比有两点不同： 公式中的(C2G + C2S) 代替了C2G， C2S 的值远大于原来的C2G ， 新的C2G 的值取决于导体2露出屏蔽层的长度。 公式中的C12已经减小了许多。C12的大小取决于导体2在屏蔽体外的长度。要减小C12，就要使暴露出屏蔽层的导体长度尽量短。 若导体2接地电阻为有限值，且： R << 1 / j? ( C12 + C2G + C2S ) 这时，导体2上的耦合电压为： VN = j?R C12 V1 C12的大小取决于导体2在屏蔽体外的长度。对于编织屏蔽层，通过孔形成的导体1、2之间电容也要考虑。 首先考虑导体2（接收导线）不接地的情况。