白底 9第9章节MOS场效应晶体管.pptVIP

2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 第九章MOS场效应晶体管 9-1， MOS 管基本原理 9-2， MOS 管的电学参数1阈值电压 9-3，电流方程 9-4，其他电学参数 第九章Mos场效应晶体管原理 参考书： 双极型与MOS半导体器件原理 黄均鼎 汤庭鳌 编著 复旦大学出版社 晶体管原理 半导体器件电子学（英文版） 美国，R.M.Warner, 电子工业出版社 9-1 MOS晶体管工作原理 9-1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 9-1-2 MOS晶体管的阈值电压分析 9-1-3 MOS晶体管的电流方程 9-1-4 MOS晶体管的瞬态特性 9-1，MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 1-2 MOS晶体管的阈值电压分析 1-3 MOS晶体管的电流方程 1-4 MOS晶体管的瞬态特性 补充：1-5 MOS晶体管的其它电学参数1 9-1-1??MOS晶体管的基本结构 MOS晶体管--- MOSFET,金属-氧化物-半导体场效应晶体管 基本结构：源区，漏区，沟道区,图1-1-2，图1-1-1, 主要结构参数： 沟道长度（1-1-2,栅极图形沟道长度poly,实际沟道长度S-D） 沟道宽度W (1-1-3, W= W1 +W2 +W3) 栅氧化层厚度tox 源漏区结深 Xj （见图1-1-1 ） 9-1-2 MOS管基本工作原理 工作原理--栅压控制器件 (1-1-4能带图) Vgs=0，截止 0 Vgs V t，截止（沟道表面耗尽、弱反型） Vgs V t （图1-3-3）开启 情况1：Vds=0 情况2： Vds0 转移特性曲线（图1-1-5，漏级电流，栅压，漏压，阈值电压） 输出特性曲线---I-V曲线 （图1-1-6，截止区，线性区，饱和区，击穿区） 问题：为什么MOS晶体管也叫单极晶体管？ 9-1-3 MOS晶体管的分类 按导电类型： NMOS管： N沟道 MOS晶体管 PMOS管： P沟道 MOS晶体管 按工作机制分： 增强型器件：（也叫常截止器件） 耗尽型器件：（也叫常导通器件） 图1-1-9 9-1-4 MOS晶体管的结构特点 结构简单面积小-------便于集成 输入阻抗很高-------级间可以直接耦合 源漏对称-------------电路设计灵活 有效工作区集中在表面，和衬底隔离 9-2 MOS管的阈值电压分析 阈值电压定义：使沟道区源端半导体表面达到强反型所需要的栅压。 阈值电压V t：决定MOS管状态的关键。 Vgs V t ：截止态； Vgs V t：导通态。 9-2-1 影响阈值电压的因素 定义：V t= Vgs |表面强反型时 表达式： V t= V FB+2фF-QBm/Cox 电压降在平带电压，强反型电压，栅氧化层 计算：将公式1-1-3到1-2-8代入上式 9-2-1影响V t的基本因素 1，材料： 金属类型фMS ，氧化层中的电荷QOX 半导体沟道区掺杂浓度NA 半导体材料参数 ni ; εi 2，氧化层厚度：越厚则阈值电压越大 衬底参杂高，则阈值电压越大 3，温度：温度上升，阈值电压下降 4，和器件的横向尺寸无关 调整考虑： 降低。以便降低芯片耗电。 控制器件类型 平衡对偶器管子（CMOS） 9-2-2 体效应对阈值电压的影响 Vbs不是0时，产生体效应。 例：对 nmos管 Vbs 0，源和漏PN结反偏-- QBm 增加--阈值电压增加 计算：公式1-2-11和1-2-13（下页） 理论结果： Vbs增加，则阈值电压增加 衬底浓度增加，则阈值电压增加 实验结果：图1-2-1 体效应公式 9-2-3 离子注入调节阈值电压 例1：增强型器件要高的阈值电压 高的阈值电压用高的衬底掺杂完成，但击穿电压低、结电容大、体校应系数大。 做法：离子注入产生局部高的衬底浓度，注入和衬底相同类型的杂质。 例2 ：耗尽型器件要低或相反的阈值电压 做法：离子注入和衬底相反类型的杂质，以便形成原始沟道。 9-2-4 短、窄沟道效应对阈值电压的影响1 短沟道效应 现象：图1-2-5, L方向，源漏耗尽区横向扩展使有效的L下降。 分析：耗尽层体积减小--使栅压控制的耗尽层电荷减少--使阈值电压降低 公式：1-2-29 计算结果：图1-2-6 9-2-4 短、窄沟道效应对阈值电压的影响2 窄沟道效应 现象：图1-1-9, W方向，电场的边缘效应使W增加 分析：耗尽层体积增加--使栅压控制的耗尽层电荷增加--使阈值电压增加 公式：1-2-30 其它 场区注入使Vt增加 漏感应势垒降低效应使Vt下降 综合公式：1-2-31 9-3 电流方程 四端器件图 （