率驱动电路设计.pptVIP

功率MOSFET是一种单极性器件，导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS管，多子是电子） 功率MOSFET是一种集成器件，也就是说一个功率MOS管通常有许多元细胞并联而成。（一个40A的管子由上万个单元并联而成）。 栅极与基片之间用SiO2隔离，因此它同其它两个极之间是绝缘的，故MOS管输入阻抗非常高。 MOS管的极间电容比较大，尤其它的输入电容可达几百PF。 2.MOS管主要技术参数 漏源电压BVDS MOSFET的工作电压主要由MOS管的漏极击穿电压BVDS决定，而BVDS又是J1结的反偏电压极限值。BVDS随温度而变化，在一定的范围内大约结温度每升高10℃，BVDS增加1%，也就是说结温上升，耐压值也上升。（而双极型晶体管则相反）。 最大漏极电流IDmax 标称MOS管电流额定参数。MOS管的额定电流主要由沟道宽度决定，提高IDmax主要靠增加单位管芯面积的沟道宽度。 极间电容 功率场效应管极间电容是影响器件开关频率的主要因素。三个极间电容如图1-14所示。 输入电容：Ciss=CGS+CGD 输出电容：Coss=CDS+CGD E、MOS管全桥驱动电路 全桥驱动可用2片半桥驱动集成电路（IR2110）： * 功率驱动电路设计 一、功率场效应晶体管（MOSFET） 1、功率场效应晶体管结构特点 图1-1 电力MOSFET的结构和电气图形符号 阈值电压VGS（th）（开启电压） 当外加栅极电压VGS（th）时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。一般MOS管的开启电压为2-4V。 导通电阻（Ron） 相当于双极型器件的饱和电阻，它主要有沟道电阻Rc和漂移区电阻Rd所决定。 最高工作频率fm 在漏极电压VDS的作用下，电子从源区出发，通过沟道到达漏区需要一定的时间。当控制信号的周期与此时间相当时，电子就来不及跟随信号变化，这个信号的频率就是VMOS管的最高工作频率fm。 图1－2 二、LED及继电器驱动 1、LED显示器驱动 A、动态显示 LED显示可选择动态扫描显示，或选74LS164移位寄存器作静态显示。 目前普通LED发光管的最大驱动电流为20MA，故可取每段发光管的最大驱动电流为IF=2.5mA。 B、静态显示 用74LS164， 74LS164每路输出端最大灌电流为8mA,(但电源端最大工作电流为54mA).故取: 2、继电器驱动 A、用分立元件 可取继电器工作电流50mA, 三极管放大倍数为100 则: B、用达林顿集成电路驱动 如果系统中有多个信号继电器需要驱动,可考虑用ULN2000系列达林顿驱动集成电路。 8路达林顿驱动芯片ULN2800系列: 三、功率MOS管驱动电路设计 驱动电路——主电路与控制电路之间的桥梁。 性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对提高装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。 功率MOS管驱动电路的主要作用有： 电平转移 电流放大 电气隔离 故障保护 A、用分立元件构成的驱动电路 采用上述分立元件电路的优点是成本低,缺点是驱动电路自身功耗大，波形上升沿和下降沿都不够陡。解决驱动电路自身功耗大的方法是用小功率MOS管如2N7000（60V/0.2A,N)代替S8050,用NTK3142(-20V/0.28A,P)代替S8550。改善MOS管栅极驱动波形的办法只能是加大它栅极驱动电流。 B、低端MOS管的驱动 采用IR4427的双路低端驱动 C、高端MOS管驱动电路 D、MOS管半桥驱动电路 *