【2017年整理】高效单晶硅太阳电池商业化进程.docVIP

高效单晶硅太阳电池商业化进程 汪义川 摘要：高效单晶硅太阳电池商业化生产，除了BP公司刻槽埋栅太阳电池工艺外，还有使用SiN或TiO2减反膜的高效太阳电池。尚德太阳能电力有限公司最近竣工一条年产15MW高效单晶硅太阳电池生产线，既能生产镀SiN膜又能镀Ti02膜的高效单晶硅太阳电池。 0 前言 虽然上世纪末多晶硅电池产量首次超过单晶硅太阳电池，但是单晶硅太阳电池产量并非就此止步不前，仍然继续发展，形成与多晶硅太阳电池并驾齐驱各各领风骚的态势。全世界2001年光伏器件产量404MW，多晶硅太阳电池占50.2%，单晶硅太阳电池占34.6%。全世界2002年光伏器件产量559.6MW，单晶硅太阳电池占36.4%。据日本某著名光伏厂商称，今后他们只做单晶硅太阳电池，不做多晶硅太阳电池了。当今国际上一般都用5寸准方片来做，即外形尺寸是125mm×125mm，直径150mm，面积为148.58cm2,光电转换效率≥15%。随着8寸IC生产线退役，其中8寸单晶炉有相当部份转向拉太阳能级单晶棒，出现6寸准方片（外形尺寸是125mm×125mm，直径150mm）的单晶硅太阳电池只是早晚的事。 尚德太阳能电力有限公司根据市场需求和自我发展的需要，审时度势新建了年产15MW单晶硅太阳电池生产线。这条新线是尚德公司今年的一件大事，通过公司最高领导层、全体员工呕心沥血的努力，如期竣工。该线具有APCVD和PECVD设备，这样就能生产具有SiN或TiO2膜的单晶硅太阳电池。使用103mm×103mm和125mm×125mm的单晶硅片。光电转换效率最大达：16.2%（镀SiN膜），15.7%（镀Ti02膜）；平均达：15.3%（镀SiN膜），15.1%（镀Ti02膜）。 1 工艺介绍 高效单晶硅太阳电池工艺流程如下： A. SiN共烧工艺流程： 制备绒面 发射区扩散 边缘p-n结刻蚀、去磷硅玻璃 PECVD沉积SiN 丝网印刷背电极、背电场以及正面电极 共烧形成金属接触 电池片测试 B SiO2/TiO2共烧工艺流程： 制备绒面 发射区扩散 边缘p-n结刻蚀、去磷硅玻璃 氧化生成SiO2钝化层 APCVD沉积TiO2 丝网印刷背电极、背电场以及正面电极 共烧形成金属接触 电池片测试 1．1绒面制备 硅片采用0.5~2Ω·cm，P型晶向为100的单晶硅片。利用氢氧化钠溶液可对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子＝10时（所谓各向异性因子就是（100）面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比），可以得到均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点，可提高单晶硅太阳电池的短路电流Isc，从而提高太阳电池的光电转换效率。 金字塔形角锥体的表面积S0等于四个边长为a正三角形S之和 由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即1.732倍。 当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Ф1和进入硅中的折射光Ф2。反射光Ф1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二次反射光Ф3和进入半导体的折射光Ф4；而对平面光电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有11％的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04％。 实际的绒面反射率曲线如下： 尚德太阳能电力有限公司在制绒过程中，对传统制绒工艺进行改革，有所创新，所制绒面颜色均匀一致，无花篮印和白边，雨点印桔皮状。 1.2 发射区扩散 采用三氯氧磷气体携带源方式，这个工艺的特点是生产高，有利于降低成本。新购的8寸硅片扩散炉、石英管口径达270mm，可以扩散150×150（mm）的硅片。 由于石英管口径大，恒温区长，提高了扩散薄层电阻均匀性，有利于降低太阳电池的串联电阻Rs，从而提高太阳电池填充因子FF。 1.3 SiO2钝化与APCVD淀积TiO2 先期的地面用高效单晶硅太阳电池一般采用钝化发射区太阳电池（PESC）工艺，在扩散过去除磷硅玻 的硅片上，热氧化生长一层10nm厚SiO2，使表面层非晶化，改变了表面层硅原子价键失配情况，使表面趋于稳定，这样减少了发射区表面复合，提高了太阳电池对蓝光的响应，这样也增加了短路电流密度Jsc，由于减少了发射区表面复合，这样也就减少了反向饱和电流密度，从而提高了太阳电池开路电压Voc。还有如果没有这层SiO2，直接淀积TiO2薄膜，由于SiO2导致太阳电池短路电流衰减，一般会衰减8％左右，从而降低光电转换效率。故要先生长SiO2钝化膜再生长TiO2减反射膜。 Tio2减反射膜是用APCVD设备生长的，它通过钛酸异丙脂与纯水产生水解反应来生长TiO2薄膜。 Ti（OC3H7）4＋2H2O TiO2＋4（C3H7）OH 1.3.2 PECVD淀积SiN 多晶硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN，是由于PECVD淀