射频溅射技术.pdf

实验十四 高频溅射技术 一、引言 溅射就是利用气体放电中的高能粒子（正离子或原子）轰击固体表面，使某些表面原子 从其中逸出的现象。 溅射的基本原理是动量传递。当高能粒子轰击靶子表面时，就把能量传递给轰击区的表 面，使靶子表面原子获得很高的能量而由靶中逸出。就一级近似而言，虽然靶子表面被均匀 地剥掉一层，但化学成分并不因粒子束的轰击而改变。 溅射技术已在薄膜沉积和非化学蚀刻中得到了广泛的应用。在沉积薄膜时，靶子就是要 沉积的物质，放电粒子的动量传递使原子离开靶面而沉积在靶子附近的衬底上形成薄膜。蚀 刻时，作为靶子的则是要蚀刻的表面。 已经采用过的溅射方法有多种，一般地是所谓的直流溅射，但它只能用于沉积金属或导 电薄膜而不适用于制备绝缘体薄膜，原因是轰击离子的正电荷不能被及时中和，大部分电荷 因此而集中在两端绝缘体上，留在气体中的很少，这样无论离子的到达速率还是离子的能量， 都不足以造成明显的溅射。也就是说，当正离子轰击到靶子表面时把动能传递给靶面，但正 离子本身却留在了靶面上并聚集起来，这些正电荷所产生的电场排斥后面射向靶面的离子， 从而迫使溅射停止。为了溅射绝缘体材料，通常采用高频溅射技术，利用正离子和电子对靶 面的轮番轰击而中和离子的电荷，从而使溅射得以持续进行。 理论上，高频溅射技术可以用来沉积任何物质（导电和非导电）的薄膜，这种多面性是 它区别于其他沉积方法的主要优点。高频溅射的另一个主要应用是作为广泛的非化学蚀刻技 术。 二、高频溅射原理 1 、高频辉光放电和等离子层的形成 采用高频溅射时，为了获得高能量的射向靶面的正离子流，置于放电中的靶子的表面必 须有较高的负电位，这种负电位来源于所加的高频电场与等离子区中固体表面的伏安特性间 的相互作用。 当把一个随时间变化的电位加于靶子背面的金属电极时，通过靶子的阻抗，在靶子的正 面也会出现另一个随时间变化的电位。气体在高压下一经被击穿开始放电时，电流就从等离 子区流向靶面，电子强度的大小取决于等离子区的伏安特性（图14.1(a)）。因为等离子区中 的电子运动速度比离子的高的多，所以射向靶面的电子流最初比离子流强的多，靶面因此将 得到负电荷，直到靶面电位降到使抵达靶面的净电荷等于零为止，这时靶面便获得一个稳定 负电位。 假定靶面的直流电位保持恒定，交流电位在等离子区随时间而变化，那么过剩的电子流 就会始终不断的射向靶面。因为没有净电荷通过靶子（即到达靶面的正离子流量和过剩电子 流量相等），所以靶子的净直流电流必定为零。这就是说靶面电位至多只能稍微变正，其负 峰值必须是近似于所加高频电位正负峰间的幅值。 图 14.2(a)表示随时间变化的靶子电位。由于鞭子电位相对于等离子区为负，所以迫使 电子离开靶面，结果在靶面附近形成肉眼可见的暗区―正离子区，正离子区的电位随靶面而 变化图 14.2(b)，离子区中的正离子由于靶面负电位的吸引而趋向靶子，其能量分布近似于 正弦函数，平均值略低于所加信号峰值，波形稍受截削。 为使图14.2(b)所示的稍正的靶子电位减至最小（即防止靶面上过剩的正电荷聚集）， 施加的电位须有很高的频率，因为在低频率下，正离子能很好的跟踪所加的信号，图 14.1 中伏安特性曲线趋向直线。这时，正离子将会聚集在靶面上，从而使离子的平均能量显 著降低，以至难以持续进行有效的溅射。因此从电荷聚集这点来看，应有尽可能高的频率（但 频率不能增高至微波段，因为图14.1 的等离子区伏安特性曲线对微波段是不适用的）。 2 、溅射气体和反应溅射 溅射气体通常是根据以下三点选择的：（a ）必须对被溅射的材料呈惰性；（b ）必须具有 高的溅射速率；(c)要易于得到高纯度，而且价格便宜。因为氩气最接近于满足上述要求， 所以通常都选用氩气作为溅射气体。 由于脱离靶面的物质处于高能态（2 －10eV），极易参加化学反应和被吸收，因此，如 要沉积纯靶面物质薄膜时，必须把所有活性气体从溅射系统中排除出去，同时还要确保靶面 清洁及靶面同体材料的化学成分的一致。 有意识的把反应气体引入溅射气体中以改变和控制沉积薄膜成分的方法称为反应溅射。 利用这种技术，可沉积各种绝缘体、半导体和各种金属化合物薄膜。在溅射气体中掺入氧、 氮、甲烷或一氧化氮、硫化氮等已制备出了氧化物、氮化物、碳化物和硫化物薄膜。还利用 溅射气体掺氢的方法制备了非晶硅氢合金薄膜。虽然可以采用纯的反应气体，但通常还是将 惰性气体与少量反应气体混合使用。在沉积绝缘体薄膜