浅谈模电复习题B.docVIP

一、单选题(每题1分，共30分) 1.　半导体的导电阻率为　　C　。 　　A　ρ10-6Ω·m，Bρ108Ω·m，Cρ介于10-6～108Ω·m， Dρ 1010Ω·m 2.　本征激发是指　A　　现象。 A　价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 B　价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 C　价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 3. 空穴的导电机理是　　A　　。 A电子的接力运动，B空穴在电场作用下的定向运动，C空穴的接力运动， D　杂质粒子在电场作用下的定向运动 4.　P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的　B　　而获得的杂质半导体。 A二价元素，B　三价元素，C四价元素，D　五价元素 5.　模拟信号是指　　C　　的信号。 A时间连续，B数值连续，C时间和数值都连续，　D　时间和数值都不连续 6.　放大电路放大倍数是指　A　　　。 　A输出信号与输入信号的比值,B输入信号与输出信号的比值， C输出电压与输入电流的比值，　D输出电流与输入电压的比值。 7.　某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为　C　倍。 A　10，B　102，C　103，D　104 8.　放大电路中的非线性失真是有B　引起的。 A　电抗元件，B　放大元器件的非线性，C　非电抗元件，D　输入信号的失真。 9.　PN结雪崩击穿主要主要发生在情况下。(C) 　　A.PN结反偏较低,B.PN结正偏电压较高，C.PN结反偏较高，D.PN结正偏电压较低。 10.　PN结齐纳击穿主要主要发生在　A　情况下。 　A.PN结反偏较低B.PN结正偏电压较高，C.PN结反偏较高，D.PN结正偏电压较低。 11.　锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为　D(A)　。 　　　A　0.7V，　B　0.5V，　C　0.1V，　　D　0.2V。　　 12.　晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为　　A/C/D　　。 　A.　发射结正偏，集电结反偏，B.　发射结反偏，集电结正偏， 　C.　发射结正偏，集电结正偏，D.　发射结反偏，集电结反偏。 13.　PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为　　C　 。 　　　A　5V以下，B　8~1000V，C 5~8V，D　10~500V。 14.　硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为　B/C　。 　　　A　0.7V　B　0.5V　C　0.1V，　D　0.2V。 　15.　对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为　A　。 　　　A.　200Ω B.100Ω C.150Ω　D.300Ω 16.　当温度升高1oC时，晶体管的参数UBE将增大　　A　。 　　　A.　－(2~2.5)mV，B.(2~2.5)mV，C.(1~1.5)mV，D.－(1~1.5)mV 17.　当温度升高1oC时，晶体管的参数β将增大　　B　。 　　　A.　0.5%，B.　0.5%~1.0%，C.　0.5%~2.0%，D.　1.0%~2.0% 18.　三极管的电流分配关系为　　B　。 　　　A.　IE＝IC+I B　B.　IE＝IC－IB　C.　IC＝IB－IE　　D.　IB＝IC－IE 19.　晶体三极管放大作用的实质是　D。 A.　把微弱的电信号加以放大，B.　以弱电流控制强电流， C.　以强电流控制弱电流，D.　以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。　　　　　 20.　多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数　A 　。 　　　A.　的乘积，B.　的和，C.　的差，　D.　相除的商。 21.　多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而　(B)　。 　　　A.　变宽，　B.　变窄，C.　变大，　D.　变小。 22.　fH (fL)称为放大电路的　B/C　。 　　　A.　截止频率，B.　上限频率，C.　下限频率，　D.　特征频率。 23. 　fβ(fT)称为共发射极　A/D　　。 　　　A.　截止频率，B.　上限频率，C.　下限频率，　D.　特征频率。 24. BJT(FET)又称为　A/B　 　。 　　　A.单极型晶体管，　B.双极型晶体管，C.电子型晶体管　D.空穴型晶体管。 25.　互补对称功率放大电路工作在乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率为　B　。 　　　A.　30%，　B. 　78.5%，　C.　60%，　D. 　85%。 26.　互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为　B 　。 　　　A.　30%，B.　78.5%，　C.　60%，　D.　85%。 27.　甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生　A　　。 　　　A. 交越失真，　B. 线性失真