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第2章 半导体二极管及其应用电路 2.1 半导体的基础知识 2.2 PN结与晶体二极管 2.3 特殊二极管 小结 2.1 半导体的基础知识 2.1.1半导体 导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，我们称之为半导体。 半导体有以下特点: 常用的半导体材料有:元素半导体，如硅(Bi}、锗(Ge}等;化合物半导体，如砷化稼(GaAs}等；以及掺杂或制成其他化合物半导体材料，如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb )等。其中，硅是最常用的一种半导体材料。 (1)半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 (2)半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 (3)在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 下一页 2.1 半导体的基础知识 2.1.2本征半导体 本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半导体材料是单晶硅(Si)和单晶锗(Ge)，其原子结构如图2-1(a) 、(b)所示。 在硅和锗等半导体材料中，内部原子排列是有规律的，即为晶体结构。每个原子受邻近四个原子的束缚，组成四个共价键。共价键像纽带一样将排列整齐的原子连接起来，如图2-2所示。 由热激发产生的自由电子，也会释放能量返回到附近的空穴，这种现象称为复合。 热激发和光激发统称为本征激发。 在本征半导体中，随着温度的升高或光照的增强，电子一空穴对的数量将大大增加，导电能力将大大提高，这就是半导体具有热敏性和光敏性的基本原理。 下一页 上一页 2.1 半导体的基础知识 2.1.3杂质半导体 杂质半导体是指在本征半导体中掺入了微量其他元素(称为杂质)的半导体。 1. N型半导体 在纯净的半导体硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷)后，就可成为N型半导体，如图2-3(a)所示。 2. P型半导体 P型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼、锢等)而形成的，如图2-3(b)所示。 上一页 返 回 2.2 PN结与晶体二极管 2.2.1 PN结的基本原理 1.PN结的形成 载流子扩散形成内建电场，内建电场形成PN结。 因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此空间电荷区又称为耗尽层。 2. PN结的单向导电特性 在PN结两端外加电压，称为给PN结以偏置电压。 1)PN结正向偏置——导通 将PN结按图2-4(b)所示方式连接，此时称PN结为反向偏置(简称反偏)。 PN结具有单向导电性，加正向电压时，PN结电阻很小，电流较大，是多数载流子的扩散运动形成的；加反向电压时，PN结电阻很大，电流很小，是少数载流子 运动形成的。 下一页 2.2 PN结与晶体二极管 2.2.2晶体二极管 1.半导体二极管的结构、符号及类型 1)类型 (1)按材料分:有硅二极管、锗二极管和砷化稼二极管等。 (2)按结构分:根据PN结面积大小，有点接触型、面接触型二极管。 (3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4)按封装形式分:有塑封及金属封装等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 2)结构及符号 半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。二极管的结构与符号如图2 -5所示。 下一页 上一页 2.2 PN结与晶体二极管 2.2.1 PN结的基本原理 2.半导体二极管的命名方法 半导体器件的型号由五个部分组成，如图2 -6所示。 3.晶体二极管的伏安特性 半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性—单向导电性。利用伏安特性曲线可形象地描述二极管的单向导电性。 二极管的伏安特性曲线，如图2-7所示。 4.二极管的主要参数 1)最大整流电流IFM 2)最高反向工作电压URM 3)最大反向电流IRM 4)最高工作频率fM 下一页 上一页 2.2 PN结与晶体二极管 2.2.1 PN结的基本原理 5.二极管的选择与使用注意事项 (1)要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 (2)要求导通电流大时选平面形;要求工作频率高时选点接触型。 (3)要求反向击穿电压高时选硅管。 (4)要求耐高温时选硅管。 6.二极管的检测 (1)一般情况下，可利用万用表判断普通二极管的极性，并粗略地鉴别其质量好坏。如图2-8所示。 (2)当需要获知二极管的伏安特性时，可利用晶体管特性测试仪测得，也可利用测试电路测得。 下一页 上一页 2.2 PN结与晶体二极管 2.2.1 PN结的基本原理 7.半导体二极管的应用 二极管是电子电路中最常用的器件。 1)钳位 利用二极管正向导通时压降很小的特性，可组成钳位电路，如图2-9所示。 2)限幅 利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性，可以构成各种限幅电路。如图2-10所示