半导体器件物理第6节.pdf

第六章 金属—氧化物—半导体场 效应晶体管 Lienfeld和Heil于30年代初就提出了表面场效应晶体管原理。 40年代末Shockley和Pearson进行了深入研究。 1960年Kahng和Alalla应用热氧化硅结构制造出第一只MOSFET. MOSFET是大规模集成电路中的主流器件。 MOSFET是英文缩写词。 其它叫法：绝缘体场效应晶体管（IGFET）、金属-绝缘体-半导体场效应 晶体管（MISFET）、金属-氧化物-半导体晶体管（MOST）等。 6.1 理想MOS结构的表面空间电 荷区 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 理想MOS结构基于以下假设： （1）在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷。 （2）金属和半导体之间的功函数差为零，如绘于图6-2b中的情形。 在无偏压时半导体能带是平直的。〕 〔由于假设（1）、（2）， （3） 层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使有外加电压，表面空 SiO 2 间电荷区也处于热平衡状态，这使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。这些 假设在以后将被取消而接近实际的MOS结构。 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 半导体表面空间电荷区 ： 每个极板上的感应电荷与电场之间满足如下关系 Q Q k   k   （6-1） M S 0 0 0 S 0 S 式中=自由空间的电容率 0 k =氧化物的相对介电常数 0 S =半导体表面的电场 k =半导体相对介电常数 S x =空间电荷区在半导体内部的边界亦即空间电荷区宽度。 d 外加电压 V 为跨越氧化层的电压 V 和表面势S 所分摊： G 0 V V  （6-2） G 0 S 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 图6-3 加上电压 V 时MOS结构内的电位分布 G 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 载流子积累、耗尽和反型 载流子积累 紧靠硅表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度时，称为载流子积 累现象。 单位面积下的空间电荷 xd Q q [ p(x) p ]dx s  0 0 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 图6-4 几种偏压情况的能带和电荷分布 （a ） ， （b ）小的V ， （c ）大的 V V G G G 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 载流子耗尽 单位面积下的总电荷为 Q Q qN x （6-5） S B a d 式中 xd 为耗尽层宽度。 qN x 2 a d S （6-6） 2k  s 0  x 2     1 （6-7）   x S 