基于sram型fpga单粒子效应的故障传播模型.pdf

第８期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４５　Ｎｏ．８ ２０１７年８月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ａｕｇ．　２０１７ 基于ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ单粒子效应的 故障传播模型 吴　珊，周学功，王伶俐 （复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海２０１２０３） 　　摘　要：　ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ在辐射环境中易受到单粒子翻转的影响，造成电路功能失效．本文基于图论和元胞自 动机模型，提出了一种针对ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ单粒子效应的电路故障传播模型．本文将单粒子翻转分为单位翻转和多位 翻转来研究，因为多位翻转模型还涉及到了冲突处理的问题．本文主要改进了耦合度的计算方式，通过计算ＦＰＧＡ布 局布线中的相关配置位，从而使得仿真的电路故障传播模型更接近于实际电路码点翻转的结果，与以往只计算 ＬＵＴ 相关配置位的方法比较，平均优化程度为１９８９％．最后阐述了本模型在故障防御方面的一些应用，如找出最易导致 故障扩散的元胞． 关键词：　现场可编程门阵列；单粒子翻转；单位翻转；多位翻转；电路故障传播模型 中图分类号：　ＴＮ４７　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１７）０８１９７６０９ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１７．０８．０２４ ＳＲＡＭＢａｓｅｄＦＰＧＡＳＥＵＦａｕｌｔＰｒｏｐａｇａｔｉｏｎＭｏｄｅｌ ＷＵＳｈａｎ，ＺＨＯＵＸｕｅｇｏｎｇ，ＷＡＮＧＬｉｎｇｌｉ （ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＡＳＩＣａｎｄＳｙｓｔｅｍ，ＦｕｄａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０１２０３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＳＲＡＭｂａｓｅｄＦＰＧＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡｒｒａｙ）ｃｏｕｌｄｂｅａｆｆｅｃｔｅｄｂｙＳＥＵ（ＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＵｐｓｅｔ）ｉｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ，ｃａｕｓｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｕｎｃｔｉｏｎｆａｉｌｕｒｅｓ．ＴｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｏｐｏｓｅｓａｎＳＥＵｉｎｄｕｃｅｄｆａｕｌｔｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｍｏｄｅｌｆｏｒＦＰ ＧＡｓｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｇｒａｐｈｔｈｅｏｒｙａｎｄｔｈｅｃｅｌｌｕｌａｒａｕｔｏｍａｔａ．Ｉｎａｄｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｉｓｐａｐｅｒｄｉｖｉｄｅｓＳＥＵｅｆｆｅｃｔｉｎｔｏｔｗｏｐａｒｔｓ：ＳＢＵ （ＳｉｎｇｌｅＢｉｔＵｐｓｅｔ）ａｎｄＭＢＵ（ＭｕｌｔｉＢｉｔＵｐｓｅｔ）ｂｅｃａｕｓｅＭＢＵｈａｓａｎｅｘｔｒａｐｒｏｂｌｅｍａｂｏｕｔｃｏｎｆｌｉｃｔｍａｎａｇｅｍｅｎｔ．Ｔｈｅｃｏｒｅ ｐａｒｔｏｆｔｈｉｓｍｏｄｅｌｉｓｔｈｅｃｏｍｐｕｔｉｎｇｍｅｔｈｏｄｏｆｔｈｅｃｏｕｐｌｉｎｇｄｅｇｒｅｅｗｈｉｃｈｉｓｂａｓｅｄｕｐｏｎｒｅｌａｔｉｖｅｂｉｔｓｆｒｏｍＦＰＧＡｐｌａｃｅｍｅｎｔ ａｎｄｒｏｕｔｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｔｏｍａｋｅｔｈｅｍｏｄｅｌｍｏｒｅａｃｃｕｒａｔｅ．Ａｆｔｅｒｖａｌｉｄａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｆａｕｌｔｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｍｏｄｅｌａｎｄｆａｕｌｔｉｎｊｅｃｔｉｏｎｅｘ ｐｅｒｉｍｅｎｔ，ｔｈｉｓｆａｕｌｔｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｍｏｄｅｌｉｓ１９８９％ｍｏｒｅｒｅｌａｔｉｖｅｔｏｆａｕｌｔｉｎｊｅｃｔｉｏｎｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｔｈａｎｔｈｅｆａｕｌｔｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｍｏｄｅｌ ｏｎｌｙｃｏｕｎｔｉｎｇｒｅｌａｔｉｖｅｂｉｔｓｉｎＬＵＴ（ＬｏｏｋＵｐＴａｂｌｅ）．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｉｓｐａｐｅｒａｎａｌｙｓｅｓａｎａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎａｂｏｕｔｔｈｉｓｍｏｄｅｌｔｏｆｉｎｄｃｅｌｌｓ ｍｏｓｔｅａｓｉｌｙｌｅａｄｉｎｇｔｏｆａｕｌｔｄｉｆｆｕｓｉｏｎ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：　ｆｉｅｌｄｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅｇａ