战略性先进电子材料点专项2018年度项目申报指南建议.PDFVIP

附件9 “战略性先进电子材料”重点专项 2018 年度项目申报指南建议 为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要 （2006-2020 年）》和《中国制造2025》等提出的任务，国 家重点研发计划启动实施“战略性先进电子材料”重点专项。 根据本重点专项实施方案的部署，现提出2018 年度项目申 报指南建议。 本重点专项总体目标是：面向国家在节能环保、智能制 造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需 求，支撑“ 中国制造2025” 、“互联网+” 等国家重大战略目标， 瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车” 的历史性 发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为 核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料 为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究 及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链， 并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批 具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。 本重点专项按照第三代半导体材料与半导体照明、新型 显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4 个技术方向，共部署35 个研究任务。2018 年，拟启动5 个 研究任务10 个项目。专项实施周期为5 年（2016 - 2020 年）。 - 1 - 1. 第三代半导体新结构材料和新功能器件研究 1.1 超宽禁带半导体材料与器件研究（基础研究类） 研究内容：开展金刚石、氧化镓、氮化硼等超宽禁带半 导体单晶衬底和外延材料的生长、掺杂、缺陷控制和光电性 质研究；开展材料加工和器件制备的关键工艺研究；开展基 于上述超宽禁带半导体材料的高性能器件研制。 考核指标：金刚石半导体单晶衬底和外延材料直径≥2 英 寸，掺杂金刚石p 型空穴浓度≥11018 cm-3 、n 型电子浓度 ≥11016 cm-3 ，非掺杂金刚石室温电子和空穴迁移率分别为 2 2 3000 cm /Vs 和2500 cm /Vs ，研制出金刚石原型电子器件和 深紫外光电器件；氧化镓单晶材料直径≥3 英寸，位错密度 4 -2 ≤ 10 cm ，研制出氧化镓MOSFET 器件，击穿电压≥ 1000 V， 2 导通电阻≤2 m▪cm ；制备出高质量氮化硼外延薄膜，研制 出波长≤230 nm 的氮化硼深紫外光电探测器。申请发明专利 15 项，发表论文20 篇。 1.2 氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究（基础 研究类） 研究内容：研究氮化物半导体纳米线的可控外延和量子 点的嵌入式外延，基于量子点结构的单光子发射器件；研究 氮化物半导体子带跃迁量子阱结构的外延生长和紫外、红外 双色探测器件；研究氮化物半导体太赫兹发射和探测器件； 研究氮化物半导体自旋性质及自旋场效应晶体管。 - 2 - 考核指标：实现基于氮化物半导体量子结构的光泵浦紫 外或蓝光波段室温工作单光子源，二阶相关度≤0.3 ；GaN 基 3～5 μm 红外探测器件工作温度≥77 K ，实现紫外红外双色探 测器件的单片集成；实现≥0.3 THz 室温工作的GaN 基太赫 兹发射和探测器件，发射器件输出功率≥8 μW ；实现氮化物 半导体自旋场效应晶体管原型器件，自旋注入效率≥8% 。申 请发明专利15 项，发表论文20 篇。 1.3 第三代半导体新型照明应用关键技术研究（基础研 究类） 研究内容：研究激光照明用第三代半导体激光器；研究 适用于激光大功率密度激发的荧光材料，研制激光照明光学 系统和应用产品；研究基于单芯片技术的全光谱白光照明材 料和器件；开展非晶衬底、石墨烯等插入层上高质量氮化物 半导体的外延生长研究和器件研制；开展基于新型有机无机 钙钛矿材料的高效LED 研究。 考核指标：实现激光暖白光照明（3000±300K ）到冷白 光照明（6000±300K ）范围内的色温可调，显色指数达到85， 开发出车用激光照明应用产品；单芯片全光谱白光器件效率 ≥100 lm/W ，显色指数达到90 ；基于新型非晶衬底的氮化镓