晶体三极管与其放大电路基础.PDFVIP

第 2 章 晶体三极管及其放大电路基础 内容提要：本章首先介绍晶体三极管的基本结构、放大原理，共射发极条件下的输入、 输出 V−I 特性曲线，以及晶体三极管的主要参数。然后以共射发极放大电路为例，介绍放大 电路的基本分析方法，即图解法和小信号模型法。接着讨论晶体三极管的另外两种放大组态： 共基极、共集电极放大组态。重点对晶体三极管三种组态的增益、输入电阻、输出电阻和频 率响应进行分析，最后总结三种组态的特点。 基本概念：发射极、基极、集电极，晶体三极管的放大区、饱和区、截止区，放大电路 的直流通路、静态工作点，放大电路的交流通路、h 参数微变小信号模型、输入电阻、输出 电阻、电压增益、失真、频率响应、通频带。 2.1 晶体三极管 晶体三极管（国家标准名称为晶体管）也称为半导体三极管，因为有自由电子和空穴 两种载流子参与导电，所以也称双极性三极管（BJT），以后简称为三极管。三极管根据材 料分有硅管、锗管，根据频率分有高频管、低频管，根据功率分有小、中、大功率管。 2.1.1 三极管的结构及类型 在同一个硅（锗）片上制作出三个掺杂区域，P 区夹在两个 N 区之间（NPN 型三极管）， 或者Ｎ区夹在两个Ｐ区之间（PNP 型三极管），形成两个 PN 结，图 2-1-1 是利用平面结 构制成的 NPN 型三极管的截面图。位于中间的 图 2 1 1 平面型三极管 截 面图 （NPN 型 ） 第 2 章 晶体三极管及其放大电路基础 23 Ｐ区称为基区 ，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的 N 区称为发射区 ，杂质浓度很高；位 于下层的 N 区称为集电区 ，它的面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度。基区 和发射区之间的 PN 结称为 发射结 ，基区和集电区之间的 PN 结称为集电结。在三个不同区 域各引出一个电极，分别称为 基极 （b）、发射极 （e）、集电极 （c）。 三极管有 NPN 和 PNP 两种类型。其平面结构示意图及电路符号如图 2-1-2 所示，发 射结上箭头的方向，是发射结正偏时，发射极电流的实际方向。 在本章中着重讨论 NPN 型三极管及其放大电路，其结论适用于 PNP 型三极管，但是 应该注意：两种三极管所需的电压极性相反，产生的电流方向相反。 （ a） NPN 型 三 极 管 平 面 （ b） NPN 型 三 极 管 （ c） PNP 型 三 极 管 （ d） PNP 型 三 极 管 结 构 示 意 图 电 路 符 号 平 面 结 构 示 意 图 电 路 符 号 图 2-1-2 三极管的平面 结 构示意图及 电 路符号 2.1.2 三极管的放大原理 三极管是放大电路的基本元器件之一，放大电路的功能是将微弱的电信号不失真的放 大到负载需要的数值。 图 2-1-3 所示为三极管在放大电路中的三种接法，以 NPN 型为例。