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考试题型： （1） 第1道题为填空题，侧重基本概念； （2） 最后1道题为提高题； （3） 其它为基本题。 第一章数字逻辑概论 总结 主要内容： 1.数制、基数与权值 2.常用数制的表示法及其相互转换 3.原码、反码、补码的概念及求法 4.常用码制及表示方法 掌握及了解 1.掌握各种数制之间的互相转换 2.掌握BCD编码与数制之间的转换 3.原码、反码、补码的求法 数制：数码中每一位的构成及进位的规则 基数：制中允许使用的数码符号的个数，记作R 权值：某个数位上数码为1时所表征的数值，称为 该数位的权值，简称“权”。 数制的表示方法： 数制转换： 二进制数与八进制数、十六进制数之间的相互转换 任意进制数换成十进制数转：权展开相加法 十进制数转换成任意进制数： 整数部分--除基取余法 小数部分--乘基取整法 原码：自然二进制码 正数：原码=反码=补码 负数：反码为原码按位取反， N补=N反+1 码制:编制代码所要遵循的规则 2n-1≤N≤2n 表示方法:8421、5421、余三码、格雷码 参考习题：1.2.2 1.2.3 1.2.4 1.2.5 1.2.6 1.3.1 1.3.2 1.4.1 1.4.2 第二章 逻辑代数基础 总结 主要内容： 1.常用逻辑运算：与、或、非、与非、或非、与或非、 异或、同或 2.逻辑代数的基本公式、定理—19对公式 3.逻辑函数的表示方法及相互转换 4.逻辑函数的化简 5.两种标准形式的求法及相互转换 2.1.4 2.1.5 2.1.7 2.1.8 2.2.2 2.2.3 2.2.4 掌握及了解 1.掌握逻辑函数的四种表示方法之间的互相转换 2.掌握公式化简法和卡诺图化简法 3.掌握最小（大）项、最小（大）项编号、最小（大）项 之和（积）、与－或式、 与非－与非式、无关项等基本 概念。 掌握及了解 1.掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）的逻辑功能，了解内部电路结构及工作原理。 （了解传输延迟时间、交流噪声容限、瞬时尖峰电流、 动态功耗等概念。） 2.掌握OC门、OD门、TTL三态门、CMOS三态门、 CMOS传输门的功能特点、使用方法。 3.会进行扇出系数、OC门外接上拉电阻值的计算。 4.掌握集成逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 主要内容 二极管和三极管的开关作用 TTL门电路的结构、工作原理和外特性 CMOS门电路的结构、工作原理和外特性 三态门、OC门（OD门）功能特点和使用方法 第三章逻辑门电路 总结 集成逻辑门：集成电路内部电路不同以及性能参数值不同，但 逻辑功能相同 直流电源电压：TTL—4.5~5.5V，CMOS—3~18V,有3.5和5V两种 传输延迟时间tpd 输入/输出电流： （1）“拉电流”工作状态(输出高电平，负载拉) （2）“灌电流”工作状态(输出低电平，负载灌) 输入 / 输出逻辑电平 1、）VOH(min) ≥ VIH(min) 2、）VOL(max) ≤ VIL(max) 4、）IOL(max) ≥ IIL(total) IOH(max) ≥ IIH(total) 3、） 应用中的接口问题： 接口条件： 接口电路的5种情况: （1）+5V电源供电的CMOS门驱动TTL门 （2） TTL门驱动+5V电源供电的CMOS门—上拉电阻 (3) TTL门驱动高于+5V电源供电的CMOS门—上拉电阻 (4) 高于+5V电源供电的CMOS门驱动TTL门--电平转换 (5) 74HCT系列CMOS门与TTL门之间可直接连接 3.1.6、3.1.7、3.1.9、3.1.10、3.1.11、3.1.12、3.1.13、3.1.15 MOS场效应管 工作原理 N沟道：VGS大于导通电压时，DS导通 P沟道：VGS小于导通电压时，DS导通 CMOS 反相器 1.工作原理 A L 1 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0 V 0V -10V 截止 导通 10 V 10 V 10V 0V 导通 截止 0 V VTN = 2 V VTP = - 2 V 逻辑图 逻辑表达式 vi (A) 0 vO(L) 1 逻辑真值表 1 0 A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截