陶瓷电容及钽质电容及电解电容简介.ppt

電容概述 陶瓷電容 鉭質電容 鋁電解電容 電容的性能比較 電容失效模式 電容的選用 電容與電壓、電流紋波 2.容值、電壓、電量關係 當對電容進行充電時，兩個電極分別聚集了等量 的正負電荷，從而在兩極之間產生一個電壓，電壓與電量的關係可以用如下公式表示： Q=CV V表示電容兩極之間的電壓 Q表示電容兩極閒的電荷，單位是庫侖，1庫侖=6×1019個電荷。 C是電容的容值，是一個常數。 3.电容的分类与符号 按电容量可否调整分为：固定电容器、可变电容器和微调电容器 4.电容器的单位与标示 电容器的单位是法拉(F),常用单位还有微法(μF)、 纳法(nF)和皮法(pF),换算:1F=106μF=109 nF=1012 pF 电容器的参数 标称容量：在外壳上标明的，由国家规定的电容器电容量的标准值。 允许误差范围：实际电容量与标称电容量的允许最大偏差范围，分三级I-±5%,II-±10%,III-±20%。 额定工作电压：在允许的环境温度范围内，能够长期施加在电容器上的最大电压有效值称为额定电压（一般为直流电压）。 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。 绝缘电阻：指两个电极间绝缘介质的电阻，越大越好。 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。 等效串聯阻抗:對非理想電容,其內部電極與端電極之間存在的電阻值. 二、片式多层瓷介电容器(MLCC) 1.定义:片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。 2.1 尺寸 4.陶瓷介质的特性 陶瓷是一个绝缘体，而作为电容器介质用的陶瓷除了具有绝缘特性外，还有一个很重要的特性：就是极化。即它在外加电场的作用下，正负电荷会偏离原有的位置，从而表现出正负两个极性。绝缘体的极化特性我们一般用介电常数ε来表示，即介质的K值。 6.瓷介代号 7.电气特性 电容量:电容量的大小表示电容器贮存电荷的能力。 MLCC介質厚度和層數的發展 MLCC介質常數k與溫度穩定性 由圖可知,EIA Ι類順電材料介質COG(NPO),它的介質常數k几乎不隨溫度變動,EIA Ι Ι類鉄電材料介質X7R的介質常數變動不大,  EIA Ι Ι Ι類鉄電材料介質Z5U,Y5V,溫度越高,介質常數K變小. 影響電介常數k的因素 MLCC 制造流程 影響電容量的因素:片式电容器的电容量除了由它本身的设计与材料特性所决定外，在很大程度下同它的测试条件、温度、电压和频率有很大的关系。 电容量与交流电压的关系:Ⅰ类电容器的交流特性比较好，基本不随施加电压的变化而变化。但是，对于Ⅱ类电容器，其容量基本是随所加电压的升高而加速递升的，特别X7R此特性比较明显。 电容量与工作频率的关系:对于Ⅰ类电容器其应用频率的增加，它的容值不会有什么变化，但对于Ⅱ类电容器，容值下降较为明显。 频率响应(串联谐振) 频率响应(并联谐振)： 7-2.绝缘電阻(IR) 体内漏电流:在电介质中通常或多或少存在正、负离子，这些离子在电场作用下将定向迁移，形成离子电流，我们称之为体内漏电流。 表面漏电流:在电容器的表面，也会或多或少地存在正负离子，这些离子在外电场的作用下，会发生定向迁移，形成表面漏电流。 电容器的漏电流:是陶瓷介质中体内漏电流与芯片表面的漏电流两部分组成。 介质的绝缘电阻:加在介质两端的电压和漏电流之比称之为介质的绝缘电阻,即Ｒ＝Ｕ／Ｉ 电容器的绝缘电阻除了同其本身所固有介质特性相關外，同外界环境温度、湿度等有很大的关系。 温度升高时，瓷介的自由离子增多，漏电流急剧增加，介质绝 缘电阻迅速降低。 湿度对电容器电性能影响最大,会因表面吸潮使表面绝缘电阻 下降。 7-3.损耗(DF) DF损亦称损失角正切:因为电容用于交流电路中时会在电路中产生一个相位角θ，此相位角的余角δ即为损失角。DF=tanδ DF(耗散因素)用来表明电容将输入功率转化为热量的百分（％） 介质损耗同交流电压/密尔厚度的关系: 介质损耗同频率的关系 7-4.等效串联电阻ESR： ESR:ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm)两部分组成。即:ESR = Rsd + Rsm MLCC等效電路 ESR對電路的影響 交流領域下之電容器等效電路如右圖；其中串聯等效電阻(RS)，將會隨不同頻率而有所改變。各頻率點之等效串聯電阻(ESR)如右曲線圖所示。 ESR越高，通過電流所消耗功率