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N型4HSiC同质外延生长-西安电子科技大学
57 10 2008 10 Vol.57, No. 10, October, 2008
10003290200857( 10)664905 AC A PHYSICA SINICA 2008 Chin.Phys.Soc.
N 4HSiC *
贾仁需 张义门 张玉明 王悦湖
( , , 710071)
(2007 12 6; 20085 8)
CVD (LPHWCVD) , , 4HSiC
4
Si(0001) 4HSiC , 1550 10 Pa, N n
2
4HSiC , 5 mh . (SEM) ( AFM) ,
(F IR) Hg4HSiC .
,4HSiC , 174% , 199% 132% ( mean) , 337% ,
239% 201% . , 154% 363% , .
: 4HSiC, , CVD,
PACC: 8160C, 6855, 7855
(AFM) ,
1引 言 ( F IR) ,
. ,
, 4HSiC .
4HSiC ( E = 326 eV)
g
( 3MVcm) (49 Wcm K) 2实 验
[ 1]
. SiC
Epigress VP508
[ 2] [ 3] CVD , ,
, 4HSiC PIN 19 kV ,
[4] , 1. SiCrystal.
15 kV . SiC
[ 5] AG Si , ( 0001) 8!2 ( 1
,
[ 3] [ 4] = 254 cm) n 4HSiC ,
SiC . ,
18 - 3
SiC SiC . 10 cm . 1400 , C3 H8 H2
( CVD) SiC ,
[ 6] [ 7] . ( 20 mlmin) ( 10 mlmin)
, ,
. SiC , (20 mlmin) ( 80 lmin)
, Si C ; N n SiC , 1550 ,
5
, . 10 Pa, 2.
[ 8]
Larkin , N
, .
CVD , SiH
4
C H H , Si(0001) 4HSiC
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