电课件1.ppt

主 要 参 数 （1）最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 （3）反向电流 IR 指二极管未击穿时的反向电流。 硅管的反向电流很小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 温度升高，反向电流会急剧增大。 反向电流越小，则管子的单向导电性越好。 主 要 参 数 （4）极间电容 二极管的极间电容由两部分组成：势垒电容CB用来描述势垒区的空间电荷随外加电压变化而产生的电容效应；扩散电容CD用来描述扩散区的非平衡少子随外加电压变化而产生的电容效应。 P + - N 主 要 参 数 （4）极间电容 势垒区是积累空间电荷的区域，当外加电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容效应是势垒电容CB 。 P + - N 主 要 参 数 为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N （4）极间电容 主 要 参 数 正偏时结电容较大（主要取决于CD）；反偏时结电容较小（主要取决于CB）。 PN结的高频小信号等效电路： r 结电容 （4）极间电容 主 要 参 数 （5）微变电阻 rD iD vD ID VD Q rd是二极管特性曲线工作点Q附近的电压变化量与电流变化量之比： rd与Q的位置有关。 ?iD ?vD 主 要 参 数 二极管的型号 2AP7的含义： N型锗材料普通二极管 半导体器件的型号命名： 2 A P 7 2CW56A的含义： N型硅材料稳压二极管 二极管的型号 半导体器件的型号命名： 2 C W 56 A 3 二极管及其基本电路 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 二极管正向特性的建模 iD vD (1) 理想模型： (2) 恒压降模型： iD vD 实际特性 理想特性 ＋ － vD iD ＋ － vD iD 理想模型 二极管正向特性的建模 (3) 折线模型： iD vD ＋ － vD iD rD vth (4) 小信号模型： iD vD Q ?iD ?vD ?iD ?vD rd ＋ － ≈ 26(mv) ID(mA) 模型分析法应用举例 （1）二极管电路的静态分析 R D VDD ID VD ＋ － R D ID VD ＋ － VDD 习惯画法 静态分析是在直流电源作用下，求电路各部分的直流电压和直流电流。 （1）二极管电路的静态分析 例：分别用二极管的理想模型、恒压源模型和折线模型求电路的ID和VD的值。 R D ID VD ＋ － VDD =10V 10K 模型分析法应用举例 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.E.I.S 模拟电子技术 3 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 半 导 体 材 料 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间 的物质。 常用的半导体材料：锗、硅、砷化镓等。 半导体的特性：热敏、光敏、掺杂等。 本 征 半 导 体 Ge Si 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 半导体的共价键结构 +4 +4 +4 +4 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 本 征 激 发 本征激发 : 常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 自由电子与空穴 “电子空穴对” +4 +4 +4 +4 自由电子与空穴 复合 空 穴 的 运 动 +4 +4 +4 +4 原位置 新位置 可把空穴看成一个带正电的粒子，和自由电子一样参与导电（载流子）。 本征半导体的导电特性 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。 半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。 杂 质 半 导 体 在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。 其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体（电子型半导体），使空穴浓度