微奈米热压转印与接合机-成功大学微奈米科技研究中心!!.docVIP

奈米壓印機 UV光感成型式奈米轉印及晶圓接合對準設備 EVG 620 目錄 2-2、 …………………………………………………………8 操作步驟介紹 …………………………………………………………9 3-1、 基本操作步驟……………………………………………………9 3-2、EVG-620主要功能之操作方法與相關步驟……………………………10 3-3-1.1 光罩對準曝光…………………………………………………10 3-3-1.3 關機之正確步…………………………………………………17 廠商資料………………………………………………………………18 參考文獻………………………………………………………………18 1-1、基本原理： EVG620 mask aligner 除了有著一般mask aligner的對準曝光功能，其有上下光學顯微鏡頭，可以做double sides的對準，其解析度在透明材質上，可以達到0.5μm，對於非透明基板則可到達到1μm。此外，其另一項主要功能則是可以利用在所謂的奈米壓印（nano-imprinting lithography）與微接觸式壓印（μ-contact printing lithography）。其相關原理簡述如下： (Ⅰ) 曝光顯影原理簡介（Photo-lithography） 微影蝕刻(Photolithigraphy)可說是半導體製程中舉足輕重的步驟之一，凡是與MOS結構相關的圖案製程；如各薄膜圖案、雜質區域均由微影步驟所決定。因此微影次數與所需光罩層數可用來表示此製程之難易程度。 整個微影的製程簡單來說包含上光阻(Coating Photoresist)、軟烤(Soft Bake)、曝光(Exposure)、顯影(Development)和硬烤(Hard Bake)，最後再以乾式或濕式蝕刻的方式，將所需要的圖形蝕刻到所需的基板上，如圖1-1所示。此技術對於光阻劑中圖案的尺度與完美性的呈現，首收取決於光罩中圖案支線寬與製作，另外紫外光曝光之波長與準直性；對於完整的移轉圖案至所需基板上，則是必須要使用具有選擇性較佳之光阻劑，並加以調控整個製程之各項參數，以獲得最佳之基板圖案化。因此，在整個製程中，除了光罩的製作與曝光機的選擇以外，所以步驟對於最後的呈現都是非常重要。 (Ⅱ)奈米壓印技術（nano-imprinting lithography） 此技術基本上是先行製作奈米圖案於可透UV光之模板上，隨即將高分子單體均勻塗佈於形成有序奈米圖案之基板上；在利用先前製作之具有奈米圖案之模板以適當的力量施壓於所使用之基板上；並施以紫外光（ultraviolet, UV）照射單體使之行高分子聚合反應而固化。其主要概念如圖1-2所示。在進行步驟中，UV光穿透模板而照射於高分子單體，使之固化形成具有相對高低差的圖案；由於此圖案微奈米等級，一般濕式蝕刻技術並不適用，所以必須以反應性離子蝕刻技術（reaction ion etching, RIE）將殘餘之高分子層吃掉，使阻劑圖案化於所需之基板上；再以不同氣體之RIE將阻劑圖案轉移至欲圖案化之基板上，如此即可的奈米圖案於所需的基板上。 此技術有別於傳統的曝光顯影技術在於其在奈米的尺度下，不受光繞射極限之限制，並且不需準直性佳之紫外光設備，同時可以容易的將之大面積化。 (Ⅲ) 微接觸式壓印技術（μ-contact printing lithography） 此技術，顧名思義就是以接觸的方式，製作圖案之技術；此法目前大都是與自我組裝方式（Self-assembly methode）結合一起使用，其簡單的示意圖如圖1-3所示。 ? ? 微接觸式壓印技術主要之關鍵是在於其先將已具有圖案化之Si-Mold，利用PDMS將之做模板複製；再將此複製之模板沈浸於適當之具有自我組裝分子之溶液，待此模板表面之圖案以物理吸附之方式吸附自我組裝分子之後，隨後將之接觸壓印至已經做過表面處理之欲使用之基板上，讓自我組裝分子以化學鍵結之方式以模板之圖案鍵結於其上；並以此分子作為阻擋層，以濕式蝕刻劑將基板尚未鍵結自我組裝分子的區域蝕刻掉；如此可以得到具有金屬圖案的基板，並以此具有圖案之基板做乾式或濕式蝕刻，將此金屬圖案轉移至基板上；如此即可將基板圖案化。 此技術的優點為不同於坊間常用之曝光微影蝕刻，亦不需要昂貴的紫外光機台，且不需要在黃光的環境下操作，且大部分的步驟皆以溶液的方式進行，方法極為簡便。 儀器規格介紹 2-1、儀器介紹 本機台為E.V.G公司所代理之奈米印機，機台規格如下： 具UV光感成型式奈米轉印製程能力 具有雙面對準曝光功能及微接觸轉印製程能力 曝光模式：hard, soft, vacuum contact及proximity式 分離距離 0-300um可由軟體