PN结伏安特性的测量实验报告.docxVIP

得分教师签名批改日期深 圳 大 学 实 验 报 告课程名称：大学物理实验（一） 实验名称： PN结伏安特性的测量学 院：指导教师： 报告人：组号：学号 实验地点实验时间：提交时间：一、实验目的实验要求作出PN结正，反向伏安特性曲线，以直观理解PN结正向导通，反向截止的点特新，为理解半导体内部带电粒子飘移，扩散等运动提供强有力的事实依据。为得出准确合理的曲线，需正确地连接实验线路，弄清伏安法内接和外接的区别以及待测阻值大小与之相应的接法；需采集微小变化量，非线性点的原始数据。在采集正反向曲线（U,I）点时应区别对待。?通过本实验激发试验者的空间想象，逻辑推理能力，训练应变能力以及强化严谨分析问题的能力和务实的工作作风，形成科学探索研究素质、本实验着重培养和提高实验者在半导体领域的基本实验测试技术。二、实验原理半导体分本征和杂质两大类。纯净的无杂质的半导体称为本征半导体。在本征半导体中掺入微量的杂质，将显著地改变半导体的特性，成为杂质半导体。若在锗中掺入百万分之一的砷后，其导电率将提高数万倍。杂质半导体分为空穴型（P型）和电子型（N型）两种。下面对它们的导电性分别作一些简要的说明。如图7-1所示，将五价杂质原子砷（As）掺入到四价硅（Si）中，砷有五个价电子，其中四个价电子与相邻的硅原子形成共价键，第五个价电子所受的束缚较小，它可环绕带正电的砷离子（As+）运动