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复习： 基本概念—第1、2、3、章。 摩尔定理摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的电晶体数目，约每隔24个月便会增加一倍；经常被引用的“18个月”是由英特尔首席执行官David House所说：预计18个月会将芯片的性能提高一倍（即更多的晶体管使其更快） 要设计一款集成电路，首先要确定它可以实现什么样的功能、具有什么样的性能，同时为了产品的市场推广并保证制造厂商的投资回报，还必须控制制造成本。集成电路的设计简单地说就是一个将抽象的产品设计要求（如预期的功能和性能要求）转化成特定元器件的组合，最终在硅片上实现的过程。 (1)芯片面积——越小越好这是因为如果一块集成电路裸片（封装之前的芯片）的面积越小，那么在一块晶圆片上可以获得的芯片数就会越多。对于同样的工艺过程，获得芯片的片数越多，就意味着可以降低芯片的成本。 (2)电路性能——越高越好 这里所说的电路性能，主要是指运行速度。集成电路的速度通常是用它能够达到的最高频率来进行衡量的，当一块集成电路可以达到的运行频率越高，那么它在一定的时间内可以完成的任务就越多，性能就越高。 (3)芯片功耗——越低越好功耗反映在单位时间里芯片会消耗掉多少电能量，集成电路的功耗越低，由它构建的电子产品越节能，越符合绿色环保要求，产品竞争力就越强。特别是移动电子设备（例如手机、笔记本电脑等），功耗越低就意味着其电池的使用时间就越长，对使用者越方便。 (4)可制造性——越优越好 有关可制造性设计(DFM-DFX)对于集成电路设计的必要性和重要性，在第2章中已经做了介绍。值得注意的是，现代集成电路设计，已经进入亚微米/纳米尺寸，从0.18μm披术节点开始，半导体制造工艺中广泛采用了所谓“亚波长光刻”技术。在该种技术下生产的集成电路特征尺寸小于光源波长。亚波长光刻的使用，导致掩模图形和硅片表面实际印刷图形之间不再一致。版图图形转移过程中的失真，将会影响最后产品的性能参数，并降低集成电路的成品率。在这种情况下可制造性设计的复杂性与日俱增，对集成电路产品成本控制越来越重要。 除上述4点外，在现代集成电路设计中还需要考虑其他诸多因素，比如说抗电磁干扰能力、片内信号是不是能够准确地传输、易用性等。因此，集成电路设计是一项庞大而繁杂的工程，既要求从业者具有多学科的综合能力，又要有团队合作精神。一块优秀的集成电路设计，需要有许多杰出的工程师通力合作才能完成。 如上所述，我们总是希望设计出来的集成电路能够具有更小的面积、更高的速度、更低的功耗和更优的工艺性。但是，在实际的设计过程中，工程师们很难同时实现这4个目标，这是因为面积、速度、功耗和工艺性这几种因素通常会相互制约：为了实现更低的功耗，常常会导致速度不得不变慢；而当我们想要提高速度的时候，却会引起功耗增大等。因此在设计中需要统筹兼顾，寻找最优的“平衡点”. 在具体产品设计时，由于产品性质和要求不同，众多要求指标中必然有一个主要矛盾。例如手机更侧重功耗和体积，希望电池使用时间长、体积小巧，那么设计手机里的芯片时，工程师们需重点考虑的就是如何实现更小的面积和更低的功耗这两个目标，而将速度放在次要的位置。而对于计算机的CPU/GPU芯片来说，芯片需耍处理海量的数据，因此速度是其最重要的性能要求，但速度提高会带来功耗的增加。因此，设计中要针对芯片的具体应用抓主要矛盾，牺牲其他次要因素，进行选择和优化。 这种在集成电路设计中统筹兼顾与抓主要矛盾的原则，其实在其他设计中也会遇到，工程界有人也称其为“折中原则”。 特征尺寸：即CPU表面电路的特征线宽，我们常说的130nm制程、90nm制程指的就是CPU的特征尺寸。特征尺寸越小，单位面积内的晶体管集成度就越高。在微电子学中，特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸，如MOS管的栅长，特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好 ASIC：ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。ASIC的特点是面向特定用户的需求，ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。； IC：集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件（新型半导体器件）。采用一定的工艺（经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺），把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等有源元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。 简单说：?集成电路：通过一系列特定