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pzt厚膜的电射流沉积研究 research on electrohydrodynamic jet deposition of pzt thick films

2016 年第35 卷第2 期 传感器与微系统(Transducer and Microsystem Technologies) 19 DOI:10.13873/ J.1000 9787(2016 )02 0019 04 — — — PZ 厚膜的电射流沉积研究 1 1 2 1 1 1 王大志 ,吕景明 ,郁 风 ,董维杰 ,梁军生 ,任同群 (1.大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连116024; 2.辽宁出入境检验检疫局,辽宁大连116001) 摘 要:制备了锆钛酸铅(PZT)悬浮液,采用电射流沉积(EJD)技术,在硅衬底上沉积了PZT厚膜。研究 了电射流沉积高度、流量及悬浮液混合条件对厚膜致密性的影响。结果表明:降低电射流沉积高度和流量 有助于提高沉积PZT厚膜致密性;采用球磨方法充分混合PZT悬浮液,沉积的PZT厚膜致密性明显提高。 采用优化的电射流沉积参数和球磨20 h 的PZT悬浮液,制备了10 μm无裂纹PZT厚膜,其压电常数d 为 33 -1 67 pC ·N ,相对介电常数 为255 。 ε r 关键词:锆钛酸铅;厚膜;电射流沉积 中图分类号:TM282 文献标识码:A 文章编号:1000 9787(2016 )02 0019 04 — — — Research on electrohydrodynamicjet deposition of PZ thick films 1 1 2 1 1 1 WANG Da zhi ,LÜJing ming ,YU Feng ,DONG Weijie ,LlANGJun sheng ,REN Tong qun (1.Key Laboratory for Micro/ Nano echnology and System,Liaoning Province, Dalian University of echnology,Dalian 116024,China; 2.Liaoning Entry-EXit Inspection and Quarantine Bureau,Dalian 116001,China) Abstract:

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