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第10章 常用半导体器件 理想二极管应用电路实例 晶体管、场效应管、晶闸管 色环电阻 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过晶体管，所消耗的功率为 PC=ICUCE 其后果必定导致结温上升，所以要限制PC。 正常工作时， PC?PCM βUCEO ICM 由U(BR)CEO、PCM、ICM共同确定三极管的安全工作区，如图所示。这三者称之为极限参数，限制了三极管的使用范围。 解： (a) 放大状态（硅管） (b) 放大状态（锗管） (c) 饱和状态 (a) (b) (d) (c) (d) 截止状态 判断下图中晶体管的工作状态。 【例10.3】 返回 由一个PN结组成，常用的材料为砷化镓和磷化镓。 外加正向电压时，导通发光，工作电压为2V以下。 10.5 其他半导体器件简介 10.5.1发光二极管（LED) 由于发光二极管具有工作电压低、体积小、功耗低、工作可靠使用方便等特点，所以广泛应用到各种测量设备及其电子设备的数字显示。 【例10.4】电源指示灯 当开关S闭合时，发光二极管导通发光，表示直流电源正常工作。 返回 光电耦合器是由发光元件和受光元件组成。发光元件采用红外发光二极管。 当光电耦合器的输入端接通电源时，发光二极管导通发光，受光器件（二极管或三极管）被入射光照射而导通，产生输出电流。输出电流与入射光的强度成正比。 10.5.2 光电耦合器 光电耦合器在实际当中常用来传送信号或起隔离作用。 【例10.5】输入端的隔离作用 可编程控制器输入接口与输入设备之间通过光电耦合器进行连接，其作用是提高可编程控制器的抗干扰能力，防止干扰信号传入PLC。 返回 第10章 结 束 整流桥、电感、集成电路芯片 二极管 返回 场效应管分为绝缘栅和结型两大类。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 绝缘栅场效应管 MOS管 10.5.3 场效应管 场效应管 （a)结构 （b) 符号 1. N沟道增强型绝缘栅场效应管 （1）结构 高浓度两个N区 掺杂浓度低 金属铝 （2）工作原理 P P 不存在导电沟道 PN结 D-S间相当于两个反接的PN结 iD= 0 P P 栅极金属层将聚集正电荷（形成电场），排斥靠 近绝缘层一侧的空穴，剩下负离子，形成耗尽层。 耗尽层 uGS0时 iD= 0 UGS(th) 称为开启电压 uGS增加时 自由电子被吸引到耗尽层 和绝缘层之间,形成N型导电沟道。 iD 0 uDS 0时，产生漏极电流iD。 在实际电路分析、设计中，常使用理想化的二极管特性 （1）带导通电压的理想特性： iD uD 0 UD 导通电压UD与二极管材料有关： 硅管为0.6~0.7V，锗管为0.2~0.3V （2）忽略导通电压的理想特性： iD uD 0 ——理想二极管 二极管的应用是主要利用它的单向导电性进行整流、限幅、保护等。 10.2.4 应用举例 1、限幅电路 ui uo R D E 输入电压为一正弦波： 电池电压：E=4V 0 8 t 输出电压如图 0 4 t 截止 截止 导通 导通 当输入电压小于电池电压时，二极管两端电压处于反向偏置，截止，没有电流流过，所以输出电压跟随输入电压变化。 当输入电压大于电池电压时，二极管两端电压处于正向偏置，导通，二极管两端电压为0，所以输出电压与电池电压相同，为4V。如果考虑二极管导通电压，则此时输出电压应为4.7V。 该电路的作用就是限制过高的输入电压。 4 2、或门电路 D1 D2 R -12V VA VB VF 假定二极管导通电压忽略不计，我们用列表的方法来分析输入信号VA，VB和输出信号VF的关系： VA VB VF D2 D1 3V 3V 3V 3V 0V 0V 0V 0V 导通 导通 导通 导通 导通 导通 截止 截止 3V 0V 3V 3V 如果定义 3V电平为逻辑 1，0V电平为逻辑 0，则，该电路实现逻辑“或”的功能： VF=VA+VB 共阴极接法：阳极电位高的 优先导通。 共阳极接法：阴极电位低的 优先导通。 例： ui uo R D1 5V ? ? ? ? D2 5V o o o o 1）当 二极管电路如图，D1、D2为理想二极管，试画出 范围内的电压传输特性曲线 。 解： D1管截止，D2管导通。u 0 = -5V -5 0 +5 +10 -10 ui (V) +5 -5 uo 2）当 D1管截止，D2管截止。u 0 = ui 3）当 D1管导通，D2管截止。u 0 = +5V 稳压管是特殊的面接触型二极管。 + - 符号 10.3 半导体稳压管 10.3.1 基本结构 10.3.2 伏安特性 稳压管正常工作的区域是反向击穿区。