集成电路工艺之外延.pptVIP

第八章 外 延 外延工艺是在60年代初发展起来的一种极其重要的技术，目前得到十分广泛的应用。 外延是薄膜淀积的一种特殊类型。前面介绍的淀积方法形成的是无定型或者多晶的薄膜，但外延是在半导体晶体上外延生长一层单晶层。外延这个词源于希腊语，意思是“在上方排列”。通常外延层是由四氯化硅或者由硅烷化合物（SiH4，SiH2Cl2，SiHCl3）分解而生成的，这与在CVD中发生的反应相类似，硅的外延层是沿衬底硅的晶向生长的。外延层的掺杂与衬底掺杂不同，在外延的过程中通入磷烷（PH3），乙硼烷（B2H6），或砷烷（AsH3）可以控制外延层的掺杂。标准的整个晶片的外延必须在工艺流程开始之前进行，即在生长或淀积其他需要保留的表面薄膜之前完成。还要说明的一点是，晶片供应商提供的硅片有些已经生长有外延层。 在硅片表面生长单晶层的分类： 气相外延（VPE） 金属有机物化学汽相淀积（MOCVD） （也是VPE的一种，不做Si外延，生长铁电薄膜，金属氧化物，III-V族化合物）） 分子束外延（MBE） （生III-V族化合物） 在集成电路中，外延是指在单晶衬底上按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。从广义上说，外延也是一种化学气相淀积工艺。（由衬底向外延伸→外延，重要：可方便控制杂质浓度，不依赖衬底，形成突变结） 同质外延：生长的外延层和衬底为同一种材料。（应用广泛）（外延技术中最重要、应用最广泛的是硅的同质外延） 异质外延：外延生长的材料与衬底材料不同。 （在蓝宝石上生长硅，硅上生长GeSi，AlxGa1-xAs上外延GaAs等，要求衬底与薄膜的晶格常数差别不大） 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为三种：气相外延（VPE)：应用广泛，技术成熟，能很好地控制薄膜厚度、杂质浓度和晶体的完整性（在硅工艺中起主导作用） ；外延温度较高（800-1150℃）以保证晶体完整性 ，对杂质再分布影响大。液相外延（LPE)：III-V族化合物，如GaAS和InP固相外延（SPE)：离子注入后造成的损伤会形成非晶区，在退火过程中可通过固相外延转变为晶体。 外延层的作用：双极器件中解决了高频功率器件的击穿电压与集电极串联电阻对集电区电阻率要求之间的矛盾。在MOS器件中解决了闩锁效应、避免了SiOx的沉积（漏电大）、硅表面更光滑，损伤最小。 随着ULSI的发展，要求外延层越来越薄（小于1微米），结构缺陷的浓度越来越低。薄外延层要求在较低温度下生长，但较低的温度会使缺陷浓度增加，这对外延层的制备提出了新的挑战。 § 8.1 硅的气相外延8.1.1 硅源及反应式四氯化硅（SiCl4）：称为sil.tet，应用广泛，外延温度较高。三氯硅烷（SiHCl3）：称为TCS，生长温度低，速度快，可用来生长厚外延层。二氯硅烷（SiH2Cl2）：称为DCS，外延温度更低，质量高，缺陷密度低；可用于选择外延。硅烷（SiH4）：能生长薄的外延层，可获得高的淀积率。反应式： SiCl4 （气）＋2H2（气）＝Si（固）＋4HCl（气） 8.1.2 生长速率与温度的关系外延过程的理论模型满足第七章介绍的Grove模型。在化学反应控制区，生长速率与温度的倒数呈指数关系。不同的反应剂激活能不同，从而曲线斜率也不相同。在低温下反应速度受温度影响很大，随着温度的增加，化学反应速率加快，反应速度倾向于饱和，控制类型逐渐过渡到质量转移控制区。 8.1.3 生长速率与反应剂浓度的关系以SiCl4氢还原法外延Si为例：两个过程：1. 氢还原SiCl4 析出硅原子的过程。2. 硅原子在衬底上生成单晶层的过程。（两者中慢的一个决定生长速率）两种控制方式：1. SiCl4 浓度小时，化学反应控制。2. SiCl4 浓度高时，淀积速率控制。（氢气中SiCl4摩尔分数为0.28时，只有腐蚀反应）外延时不希望衬底被腐蚀，所以SiCl4浓度不宜太高） 竞争反应：SiCl4＋Si?2SiCl2 0Y0.1 速率?, 0Y0.28速率?, Y0.28 速率0 8.1.4 生长速率与气体流速的关系气体流速越大，边界层厚度越小，质量转移越快，因而生长速率越快。当流量达到一定数值时，外延速率倾向于饱和，反应转向化学反应速率控制。 边界层厚度: ??(?x/?v)1/2 v越大，? 越小 , 生长速率增加 8.1.5 衬底晶向对生长速率的影响不同晶面的键密度不同，键合能力存在差异，键合弱的晶面外延速率慢。如（111)面。 §