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1．MOS 结构零偏时的分析 用到的结论：浓度和电位的对应关系。电荷密度、电场和电位的关系。 阈值电压是三部分的和：平带电压、SiO2 中的压降和半导体表面势。 1．1 空间电荷区、内建电势和平带电压 以 NMOS 为例，无论 MOS 结构的栅是金属还是多晶硅，在栅和 p 型硅之间都存在电 势差，即内建电势，平带电压定义为抵销掉这个内建电势的外加电压。 金属或者多晶硅都存在大量电子，可类比为 n+掺杂。根据前面的结论，可解释为什么 有此电势差，且知道电位是栅高硅低。 MOS 结构同样存在着电子由金属向半导体扩散，空穴向金属扩散的运动，进而在半导 体内形成空间电荷区，在金属表面形成表面电荷。内建电势的直接来源就是如此形成的电荷。 内建电势引起的飘移最终和扩散达到动态平衡。注意到半导体内空间电荷区位于 SiO2 和 Si 界面硅一侧一定宽度内。 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 多晶硅 SiO2 P 型硅 x −tox 0 x d 0 t 是 SiO 层厚度， x 是空间电荷区宽度。 ox 2 d 0 两种金属功函数不同，无论它们是直接接触还是用导线相连，都存在接触电势差。如图 所示，可和 MOS 结构类比。 + - + + + - - - + - + - + - - + + + - + - + + - - 金属的接触电势差，PN 结、非均匀分布半导体材料和 MOS 结构的内建电势，都可以 用功函数差来解释。功函数是真空能级和费米能级的差。费米能级也叫做化学势。这些问题 不做讨论。 可见金属和半导体电荷分布有明显的差别：金属中电荷只存在于表面，而半导体有空间 电荷区。（千万不要忘记空间电荷区） MOS 结构在零偏（用导线将栅和衬底相联）时分析其电荷、电场和电位的分布，总思 路还是利用 ρ →E 和 E →φ 的关系，同时注意边界条件。 ∫ ∫ 1 1．2 电荷分布 ρ 栅上表面电荷 空间电荷区 Qg x 0 do