第七章节集成电路器件及SPICE模型.ppt

集成电路器件及SPICE模型 洪慧 hongh@hdu.edu.cn 上次课：第六章 MOS场效应管的特性 §1. MOSFET的结构和工作原理 §2. MOSFET的寄生电容 §3. MOSFET的其它特性 3.1 噪声 3.2 温度 3.3 体效应 §4. MOSFET尺寸按比例缩小 §5. MOSFET的二阶效应 第七章 集成电路器件及SPICE模型 §1. 无源器件结构及模型 §2. 二极管电流方程及模型 §3. 三极管电流方程及模型 §4. MOS管电流方程及模型 §5. Spice 仿真流程及方法 引言 器件物理模型 器件物理模型是从半导体基本方程出发，对器件的参数做一定的近似假设，而得到的有解析表达式的数学模型 。 器件等效电路模型 器件等效电路模型在特定的工作条件下，把器件的物理模型用一组理想元件代替，用这些理想元件的支路方程表示器件的物理模型。 器件在不同的工作条件下将有不同的等效电路模型。例如直流模型、交流小信号模型、交流大信号模型、瞬态模型等是各不相同的。 §7.1 无源器件结构及模型 互连线 电阻 电容 电感 分布参数元件 互连线 互连线是各种分立和集成电路的基本元件。 互连线的版图设计是集成电路设计中的基本任务，在专门门阵列设计电路中甚至是唯一的任务。 互连线设计中应注意的事项 互连 线设计中应注意的事项 在连接线传输大电流时，应估计其电流容量并保留足够裕量。 深亚微米阶段的互连线技术 CMOS工艺发展到深亚微米阶段后，互连线的延迟已经超过逻辑门的延迟，成为时序分析的重要组成部分。 这时应采用链状RC网络、RLC网络或进一步采用传输线来模拟互连线。 为了保证模型的精确性和信号的完整性，需要对互连线的版图结构加以约束和进行规整。 电阻 无源电阻 无源电阻 无源电阻的几何图形设计 有源电阻 有源电阻是指采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用。 双极型晶体管和MOS晶体管可以担当有源电阻。 MOS结构电容 MOS结构电容 MOS结构电容 电感 在集成电路开始出现很长一段时间内，人们一直认为电感不能集成到芯片上 现在情况不同，集成电路的速度越来越快，芯片上金属结构的电感效应越来越明显，芯片电感的实现成为可能 半绝缘GaAs衬底、高阻Si衬底、挖去衬底的空气桥形金属结构使电感获得有用的品质因素 电感 传输线电感 集总元件 由于尺寸的小型化，几乎所有集成电路的有源元件都可认为是集总元件。前面讨论的无源元件也可作为集总元件来处理； 随着工作频率的增加，使得一些诸如互连线的IC元件的尺寸可以与传输信号的波长相比； 这时，集总元件模型就不能有效地描述那些大尺寸元件的性能，应该定义为分布元件。 分布元件 集成电路设计中的分布元件主要包括微带（Micro-strip）型和共面波导（CPW: Co-Plane Wave Guide）型的传输线。 集成电路中的传输线主要有两个功能：传输信号和构成电路元件。 微带线 共面波导 共面波导 共面波导 CPW的缺点是： ★衰减相对高一些。 ★由于厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器的实现。 §7.2 二极管及其SPICE模型 二极管参数 器件的电子噪声 所谓电子噪声是指电子线路中某些元器件产生随机起伏的电信号。这些信号一般是与电子（或其它载流子）的电扰动相联系的。 一般包括：热噪声（白噪声）和半导体噪声。半导体噪声包括散弹噪声、分配噪声、闪烁噪声（1/f噪声）和场效应管噪声。 二极管的噪声模型 热噪声 ： §7.3 双极型晶体管及其SPICE模型 双极型晶体管模型： （1） Ebers-Moll（即EM）模型 ——Ebers和Moll于1954年提出 （2）Gummel-Poon（即GP）模型 ——Gummel和Poon 于1970年提出 §7.4 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 美国加州伯克利分校(UC Berkeley)在20世纪70年代末推出SPICE软件，包含MOS管模型：1级、2级和3级三个模型。 但是，MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管特性影响很大，这对模型提出了更好的要求。模型越复杂，参数越多，其模拟精度越高。 20世纪90年代， UC Berkeley推出BISM3模型，对亚微米MOS器件特性描述更精确。商用版BISM3模型还进行优化。 高精度与模拟效率相矛盾。依据不