CR6001锂电池保护芯片.pdf

数据手册 TinyShieldTM 内置MOSFET 的锂电池保护芯片 CR6001 AZ6002 概 述 CR6001 是科圆半导体 TinyShieldTM 电池保护芯片家族 9. 延迟时间( 过充电压检测延迟时间: tCU; 过放电压检测 中的一员。它应用公司正在申请的美国和中国专利技术 : 延迟时间 : tDL, 过放电流 1 检测延迟时间 : tODC1; 过放电 智能开关技术，实现了片上集成 MOSFET，从而大大降 流 2 检测延迟时间 : tODC2; 短路检测电流检测延迟时间 : 低了制造成本并提高产品的可靠性。该芯片可用于单节 tSHORT) 由内置电路产生，无需外接电容。精度 : ±20% 锂离子和锂聚合物可充电电池组的过充，过放以及过电 流保护。 10. 低电流损耗 该芯片包含所有必需的保护控制电路和非常低阻抗的内 · 工作模式: 典型值 2.0µA; 最大值 4.0µA 置 MOSFET，大大减少了外部元器件的数量。它实现了 · 休眠模式: 最大值 0.1µA 过充电压及电流的保护，过放电压及电流的保护，过热 保护，短路保护等各项功能，并且工作时功耗非常低。 11. MSOP-8 的小型封装形式 该芯片不仅为手机设计，也适用于一切需要锂离子或锂 12. 符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场 合。 应 用 特 性 · 单节锂离子可充电电池组 1. 无需外部 MOSFET · 单节锂聚合物可充电电池组 2. 等效 24mΩ RDS(ON) 片上 MOSFET P+ 3. 应用极其简单 , 仅需一个外部电容 VDD VM 4. 过充电流保护 Battery CR6001 VCC 5. 三重过电流检测保护 : 过放电流 1, 过放电流2 和负载 C1 DC Load 短路检测电流 0.1uF Charger GND 6. 充电器检测功能 7. 过充电流检测功能 P- 8. 高精度电压检测 · 过充检测电压: 3.9V~4.4V; 步长 : 12.5mV; 精度 : 典型应用电路 ±25mV · 过充回滞电压: 0.0V~0.4V; 精度 : ±25mV ·