MOSFET体二极管反向恢复过程分析.pdf

MOSFET体二极管反向恢复过程 Aug. 14 2013 AOS Confidential 内容  PN结反向恢复过程  MOSFET体二极管的形成  MOSFET体二极管的反向恢复过程 • di/dt 阶段 • dv/dt阶段  MOSFET体二极管反向恢复的仿真和实测结果 • 不同寄生电感 • 不同CGS 的影响 • 不同I 的影响 F  结论 10/27/2015 AOS Confidential 2 无偏置 P 区 N 区 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋  扩散运动和漂移运动达到平衡，PN结形成一势垒区 • 扩散：P区空穴向N去扩散，N区电子向P区扩散 • 漂移：由于势垒区的存在，N区扩散至P区的部分电子被拉回，P区 扩散至N区的部分空穴被拉回 10/27/2015 AOS Confidential 3 正向偏置 P 区 N 区 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋  外加正向电压削弱了PN结的内电场，漂 + － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ - 移运动被削弱，扩散运动被增强,扩散和 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 漂移的动态平衡被破坏。 (a) 势垒区图  P 区的空穴（多子）流向N 区，N 区的电子 (多子）流向P 区。进入P 区的电子和进入 N 区的空穴分别成为该区的少子。因此, 在P 区和N 区的少子比无外加电压时多。 这些多出来的少子称为非平衡少子,如图 (b)所示。  非平衡少子依靠积累时浓度差在N 区和P (b) 非平衡少子分部图 区进行扩散。在扩散过程中，同该区中 多子相遇而复合，距离PN结边界越远,复 合就越多，这样就形成了如图(c)所示的 非平衡少子浓度分布规律。  正向导通时，非平衡少数载流子积累的 现象叫做电荷存储效应。 10/27/2015 (c) 非平衡少子浓度分布图 AOS Confidential 4 反向恢复 P 区 N 区 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋  施加反向电压时，P 区存储的电子和N 区 - － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ + 存储的空穴不会马上消失，但它们将通 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋