半导体材料相图.pdf

第2章 区熔提纯 第2章 区熔提纯 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 区熔技术的提出 区熔- 区域熔炼（zone melting ） 加热环移动方向 再凝固 熔化区 固体 加热环 区域熔炼(示意图) •半导体工业对原料纯度的要求达到8个“9” (99.999999) 以上 一般化学提纯方法无法满足此要求。 • 区熔提纯-1952年蒲凡(W.G.Pfann)提出的一种物理提纯方法 •是制备极高纯度物质的重要方法，可以制备8个“9”以上的半 导体材料（如硅和锗）。 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 区熔技术的提出 区熔提纯（zone refining ） (1917-1982) Zone refining was developed by William Gardner Pfann in Bell Labs as a method to prepare high purity materials for manufacturing transistors. 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 区熔技术的提出 1957年，中科院物理所半导体 室(现中科院半导体所)获得了纯 度为7个“9” 的高纯锗。采用金属 锗铸锭进行 区域熔炼提纯工艺制 得。 1957年下半年，中科院物理所 半导体室在林兰英的指导下，以 区熔提纯制备高纯锗为原料研制 中国半导体 出籽晶，拉制出完整的锗单晶。 材料之母— 林兰英 林兰英 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 第2章 区熔提纯 2-1 分凝现象与分凝系数 2-2 区熔原理 2-3 锗的区熔提纯 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 分凝现象：将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶 时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度是 浓度 不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。 区熔提纯：就是利用分凝现象将物料局部熔化形 局部熔化 成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动 到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头