复旦大学模拟电子学基础第二章 半导体器件.pdf

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复旦大学模拟电子学基础第二章 半导体器件

第二章半导体器件  本章主要内容  本征半导体、杂质半导体、PN结  半导体二极管(伏安特性、等效模型、应用)  双极型晶体管(原理、伏安特性、模型)  场效应晶体管(原理、伏安特性、等效模型)  本章参考资料 《模拟电子学技术》讲义,孙承绶,复旦 《Analysis and Design of Analog Integrated Circuits 》 Paul R. Gray etc, 4th edition 复旦大学微电子学院2015年秋季 1 §2.1 半导体基础知识  1. 半导体材料的特性 电阻率对温度反应灵敏 温度改变,半导体的电阻率变化明显; 电阻率的温度系数为负,即温度升高,电阻率下降,导电性增强; 电阻率受杂质影响显著 微量掺杂可引起很大的电阻率降低,增强导电能力; 光照改变电阻率 复旦大学微电子学院2015年秋季 2  2. 半导体材料结构 本征半导体 纯净晶体结构的半导体称之为本征半导体。 常用的半导体材料有硅和锗,它们都是四价元素。 原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它 们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 一个硅原子有四个价电 子 一个硅原子与邻近四个 原子构成正四面体结构 复旦大学微电子学院2015年秋季 3 一、本征激发 ① 当价电子获得一定热能,就会摆脱共 价键的束缚,成为自由电子,带负电; 同时,在共价键上留下一个空位,叫 做空穴,带正电。 ② 存在两种载流子,带负电的自由电子 和带正电的空穴,它们是成对出现的。 1 E ③ 本征浓度 n n p (N N )2 exp( g ) i 0 0 c v 2k T 0 二、两种电流 本征半导体中的自由电子和空 ① 在外电场作用下,自由电子产生定向 穴的浓度很低,因而导电性差。 移动,形成电子电流; ② 同时价电子以一定的方向依次填补空 穴,从而使空穴产生定向移动,形成 空

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