7 Mos4 集成电路设计基础.pptVIP

3-2 传输门→开关 前面讲倒相器是MOS数字电路的基本单元，传输门也是一种基本单元。 一、单沟道MOS的传输门 MOSFET处在大信号工作时，有导通和截止两种状态，因此可作为电子开关。 MOS开关接在A、B两电路之间，用以控制其间的信号传递，故称为传输门。 VG－VA（或VB）VTN A、B导通 VG－VA（或VB）VTN A、B断开 1、传输高电平：以NMOS为例 2、传输低电平 二、CMOS 传输门 单沟道MOS传输门存在两个缺点，CMOS传输门则可弥补这个不足。 1、传输高电平 2、传输低电平 N管：漏负载级 P管：源跟随器 3－4 静态CMOS电路 一、CMOS门电路 1、与非门和或非门 要增加输入端只要相应增加P管和N管即可。但最多不超过4个输入端，这是因为： ①MOS管串联工作时，实际宽长比为W／L／N 二、CMOS触发器： 1、基本RS触发器 由两个CMOS或非门接成 三、CMOS电路的基本参数 1、静态参数： 静态参数主要有：VOH、VOL、VNML、VNMH 静态电流IL：表示静态功耗 IL↓ PC↓ 输入电流IIN：表述输入阻抗 IIN↓ 阻抗↑ 驱动电流IOH：输出为高电平时的供电电流，又叫输出供给电流IDP←TP给CL充电 驱动电流IOL：输出为低电平时的吸入电流，又叫输出吸收电流IDN←TN放电 求法： IOH：取VO＝0.9VOH时IDSP，这时P管处在非饱和区 IOL：取VOL＝0.5V情况下的IDSN，N管也处在非饱和区，用非饱和区的电流方程 反之，对IOH，IOL又要求，可推出KN、KP 2、动态参数 主要有：tr、tf； 传输延迟时间tPHL、tPLH，最高频率等 值得一提的是： CMOS IC不像TTL电路那样明显给出每个输出端的扇出能力。因为MOS管是“压控”器件，低频下每个输出端可驱动几十个输入端，但高频下带的负载不能过多。 CL↑ tr↑ tf↑ 3-5 CMOS 门电路的设计 一、版图尺寸与实际尺寸的关系： 由于漏源扩散时的横向扩散，使沟道长度变窄 二、由电参数确定 和 课堂练习：分析下面电路的逻辑功能并写出真值表。 G n＋ n＋ S D L 版图上长度为LM实际为LM－2XjL XjL为横向扩散深度 实际的 * →模拟开关 A B G VDS IDS Vi Vo CL VG=Vi=VDD CL上起始电压为0 根据电流方向可确定输入端为漏，输出端为源 （电流D→S，电子S→D） ∴TN管是源跟随器状态 当Vo增加到Vo＝VDD－VTN时，N管截止，rON →∞ 故Vo比Vi小一个VTN，有 损失，这是缺点之一。 缺点二：速度慢 rON 0 VTN VDD VDS (Vi-Vo) 开始 截止区 关A rON→∞ ● G D S G S D VDS IDS Vi Vo CL VG＝VDD，Vi＝0 CL上的起始电压为VDD 根据电流方向判断S、D TN管是漏负载级， 源接地 VGS＝VDD，恒栅压 rON 0 VDD－VTN VDD VDS (Vo-Vi) 开始 恒流区 最后 rON→∞ 开始时：VGS＝VDS＝VDD VDD VSS VGP VGN I/O O/I VGN＝1 VGP＝0 则导通 VGN＝0 VGP＝1 则截止 CMOS传输门由一对互补的MOS管并联而成 VGN和VGP总是互补的，幅度与输入电压相等 双向传输 “0” VDD Vi=VDD Vo CL S D D S I P管：漏负载级 VGSP＝－VDD N管：源跟随器 VGSN＝VDSN rON rN rP Ⅱ Ⅲ Ⅰ TN截止 TP恒流 rON 0 VTN VDD＋VTN VDD (Vi-Vo) 在Ⅱ区虽N管截止，但P管导通，Ⅰ、Ⅲ区