高频 MOS C-V 电容―电压特性测试解析.pdfVIP

实验 高频 MOS C-V 电容―电压特性测试 高频 MOS 电容―电压特性测试是研究 MOS 器件、半导体界面性质的重要方法，使 用该方法可求得SiO2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电 学参数。使用的设备简单，但作BT测量时一定要细心、耐心方能得出满意的结果。 本实验的目的及任务是用C ―V测试仪、函数记录仪等测出MOS样品C-V 曲线，根据该 曲线计算一系列样品电学参数；掌握测试原理，学会成套仪器的使用方法。 一、实验原理 1 ．理想 MOS结构的C ―V 曲线，其理想 MOS 结构的假设是： (1)金属与半导体之间的功函数差Фms为零; (2)不考虑氧化层中电荷的作用，电阻率为无穷大，在偏置作用下不导电; (3)二氧化硅与半导体之间没有界面态存在。 MOS 电容器的结构及其等效电路如图10－1所示。当外加栅压VG 为零时，理想MOS结 构的半导体表面能带是平直的。 测量时， 在金属电极上加直流偏压VG ，并在该偏压上叠 加一个固定频率为1MHz的信号电压△VG ，测出相应VG下的MOS 电容值C 。如果电压从小 到大自动加上，则会自动描出C ―V 曲线。 C(或C/Cox) VG A Cox B 1 Al C Cox dox CFB Cd 高频 E NA Cmin Al D 0 VG(伏) 图 10-1 MOS 电容器 图 10-2 P 型 Si 理想 MOS 电容C-V 曲线 图10―2是P型硅的理想 MOS C ―V 曲线，当金属铝电极上加直流偏压VG 时，VG 的一 部分Vox 降落在SiO 膜上，另一部分ψ ，表面势降落在半导体上，即 2 s V = Vox + ψ (1) G S V ox E ox d ox Q S (2) C ox 式中E 为氧化硅膜中的电场强度;Q 为硅表面区空间电荷密度，Cox 为氧化层中氧化膜单 ox S 位面积电容。其单位面积电容Cox为： ε ε o ox (3) c ox d ox 1 其中ε 为真空介电常数，ε