第三节 双极型晶体管.pptVIP

在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑电路中，晶体管是作为开关元件的。 二、晶体管的开关作用（以共射极电路为例） 截止区---关态 饱和区---开态 三、晶体管的开关过程 延迟过程 td：VI加入→Ic=0.1 Ics； 上升过程 tr：Ic从0.1 Ics → 0.9 Ics； 贮存过程 ts：VI去掉→Ic=0.9 Ics； 下降过程 tf：Ic从0.9 Ics → 0.1 Ics； 开启时间ton＝td + tr； 关断时间toff＝ts + tf； 1、延迟过程 集电结 发射结 延迟开始 反偏（-5V） 反偏（-1V） 延迟结束 反偏（-3.5V） 正偏（微通，0.5V） ViVBB+VBE，满足发射结导通的条件，IB出现，给CTC和CTE充电，反偏结电压降低； CTE继续充电到正偏，IB开始给CDE充电，IC由0→0.1ICS。由于CTC上反偏电压较大，所以仍维持反偏。 2、上升过程 集电结 发射结 上升开始 反偏（-3.5V） 微通（0.5V） 上升结束 接近零偏（0－V） 正偏（0.7V） CTC继续充电，反偏集电结电压降低到接近0V； CTE继续充电到0.7V，CDE充电使基区少子积累，浓度梯度增大。 0.9IC之后，集电结正偏， CTC充电到0.5V，向B区/C区注入少子，导致基区和集电区出现超量电荷，进入饱和状态。 CTE继续充电，VBE略有增加。 3、存储过程 集电结 发射结 储存开始 正偏（0.5V） 正偏（0.75V） 储存结束 接近零偏（0－V） 正偏（0.7V） VI去掉，发射结加上反偏电压VBB，IB抽取储存电荷； QBS和QCS减小，相当于CDE和CDC放电，但基区少子浓度梯度不变，ICS不变。 0.9IC之后，晶体管退出饱和，进入放大区。此时发射结正偏，集电结微负偏。 4、下降过程 集电结 发射结 下降开始 接近零偏（0－V） 正偏（0.7V） 下降结束 反偏（-3.5V） 微通（0.5V） QBS和QCS泄放完毕；基区少子浓度梯度开始减小，发射结电压降低，相当于CDE和CTE放电； 集电结反偏电压增加， CTC放电， Ic从0.9Ics → 0.1Ics 。 0.9IC之后，晶体管退出饱和，进入放大区。此时发射结正偏，集电结微负偏。 之后，发射结反偏，集电结反偏，晶体管进入截止状态。 四、开关速度的提高 四个开关时间中，储存时间ts最长，是减小整个开关时间的关键： a）增加泄放回路，加大抽取电流； b）减小集电区少子寿命； c）降低集电区厚度，减小储存电荷的储存空间； d）降低饱和深度。 * n反应了基区自建电场的强弱 * (3.3.46)电子浓度和电子电流之间的关系。 * 俄歇复合是带间直接复合 * 势垒区产生电流与ni成正比，突变结的扩散电流与ni2成正比。α0实际上是忽略了Icbo，＝Ic`/IE * F*β＝fT，只有在频率较高的时候才能满足。 * 问题：电路图中随着Vce的下降，Ic增大，但在输出曲线上，Ib一定时， Vce的下降，Ic也降低？ 随着对Cde和Cdc的充电，使集电结和发射结上的电压同步上升，基区两端少子浓度上升，但浓度梯度不变。 * * 3.3 晶体管的直流电流增益 三、缓变基区晶体管电流增益推导思路 A、先忽略基区中少子复合。 B、利用： “电流 ＝ 少子扩散电流＋在自建电场作用下的漂移电流” 关系，得到基区和发射区少子密度分布函数 η= 0 1 2 3 x nB(x) 基区少子分布： (3.3.46) 当基区杂质指数分布时 (3.3.47) 根据(3.3.46)，利用 类似可得到发射区电流： 3.3 晶体管的直流电流增益 C、利用 把(3.3.47)代入得到基区复合电流 D、引入平均杂质浓度的概念求出 jne 和 jpe ，得到发射效率 E、得到共基极和共射极 电流放大系数 3.3 晶体管的直流电流增益 四、电流增益 （1）发射效率 3.3 晶体管的直流电流增益 （2）输运系数 其中，λ是与电场因子η有关的系数。 均匀基区晶体管 ：λ= 2 基区杂质线性分布：λ= 4 基区杂质指数近似： 3.3 晶体管的直流电流增益 （3）共基极电流增益 （4）共射极电流增益 发射效率与均匀基区形式相同 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.3 提高放大系数的途径 1、减小基区宽度； 2、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比NE/NB↑； 3、提高基区电场因子； 4、提高基区“少子”寿命。 3.3.4影响电流放大系数的因素 1. 发射结势垒复合对电流放大系数的影响 考虑势垒复合电流Ire后